[發明專利]半導體鍵合封裝方法

有效

• 申請號: 201910477615.6
• 申請日: 2019-06-03
• 公開（公告）號: CN110299295B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 陳波;陳文淵
• 申請（專利權）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種半導體鍵合封裝方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板具有相背的第一面和第二面，所述第一面上設有多個金屬凸塊，所述第二面上設有多個焊料凸塊；

在所述第一面上形成圖案化的第一光刻膠層，所述第一光刻膠層具有裸露出所述金屬凸塊頂端的第一開口部；

提供芯片，在所述第一光刻膠層上倒裝芯片，通過熱壓鍵合法將所述芯片的功能凸點與所述基板的金屬凸塊鍵合連接；

所述提供芯片包括：

所述芯片具有正對的正面和背面，芯片正面設有多個焊盤，在焊盤所對應位置設置金屬層；在焊盤所對應位置設置金屬層包括：在芯片正面的整面設置金屬層，在金屬層整面涂覆第二光刻膠涂層，然后光照、顯影露出相鄰兩個焊盤之間所對應位置的下的金屬層，刻蝕掉相鄰兩個焊盤之間所對應位置的金屬層后，去掉焊盤所對應位置金屬層上的第二光刻膠涂層；

在芯片正面形成圖案化的第三光刻膠層，所述第三光刻膠層具有裸露出焊盤所對應位置金屬層的第三開口部；

在焊盤所對應位置的金屬層上電鍍功能凸點，通過熱壓鍵合法將所述芯片的功能凸點與所述基板的金屬凸塊鍵合連接。

2.根據權利要求1所述的半導體鍵合封裝方法，其特征在于，在所述第一面上形成圖案化的第一光刻膠層包括：

在所述基板的第一面上涂覆第一光刻膠涂層；

對所述第一光刻膠涂層進行曝光顯影形成圖案化的所述第一光刻膠層。

3.根據權利要求1所述的半導體鍵合封裝方法，其特征在于，在芯片正面形成圖案化的第三光刻膠層包括：

在芯片正面涂覆第三光刻膠涂層，光照、顯影露出焊盤所對應位置的金屬層，保留相鄰兩個焊盤之間的第三光刻膠涂層。

4.根據權利要求3所述的半導體鍵合封裝方法，其特征在于，

所述功能凸點上設有焊料，所述第三光刻膠層的厚度高于所述功能凸點高度低于所述功能凸點和所述焊料的總厚度。

5.根據權利要求4所述的半導體鍵合封裝方法，其特征在于，所述焊料至少有2/3露出所述第三光刻膠層。

6.根據權利要求5所述的半導體鍵合封裝方法，其特征在于，所述金屬凸塊、所述功能凸點和所述焊料的厚度之和不大于所述第一光刻膠層和所述第三光刻膠層的厚度之和。

7.根據權利要求1所述的半導體鍵合封裝方法，其特征在于，所述基板經其第一面上的金屬凸塊鍵合有一個或多個相同或不同的芯片。