[發明專利]一種基于高次模的雙層堆疊式差分微波帶通濾波器有效
| 申請號: | 201910477540.1 | 申請日: | 2019-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN110176660B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 劉曉賢;朱樟明;劉陽;盧啟軍;尹湘坤;楊銀堂 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01P1/208 | 分類號: | H01P1/208;H01P1/207 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 張捷 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 高次模 雙層 堆疊 式差分 微波 帶通濾波器 | ||
1.一種基于高次模的雙層堆疊式差分微波帶通濾波器,其特征在于,包括自上而下依次設置的上金屬層(1)、上玻璃基板(2)、中間金屬層(3)、下玻璃基板(4)和下金屬層(5),其中,
所述上金屬層(1)上設置有用作差分輸入端口的第一金屬片(6)和第二金屬片(7),以及用作差分輸出端口的第三金屬片(8)和第四金屬片(9);第一金屬片(6)、第二金屬片(7)、第三金屬片(8)和第四金屬片(9)的尺寸相同,長邊的長度均為470μm、短邊的長度為296μm;
所述上玻璃基板(2)上設置有多個上玻璃基板通孔(21),所述上玻璃基板通孔(21)的內部填充有第一金屬導體柱(22),每個上玻璃基板通孔(21)的直徑均為25μm,相鄰的兩個上玻璃基板通孔(21)之間的中心間距為50μm;
所述中間金屬層(3)上設置有多個輻射窗口,所述多個輻射窗口均聯通所述上玻璃基板(2)與所述下玻璃基板(4);
所述下玻璃基板(4)上設置有多個下玻璃基板通孔(41),所述下玻璃基板通孔(41)的內部填充有第二金屬導體柱(42),每個下玻璃基板通孔(41)的直徑為25μm,相鄰兩個下玻璃基板通孔(6)之間的中心間距為50μm;
多個所述上玻璃基板通孔(21)在所述上玻璃基板(2)上形成兩個對稱且間隔的第一長方形結構和第二長方形結構,且所述第一金屬片(6)、所述第二金屬片(7)、所述第三金屬片(8)和所述第四金屬片(9)在所述上玻璃基板(2)的垂直投影范圍內未開設上玻璃基板通孔(21);
所述中間金屬層(3)中開設有第一輻射窗口(31)、第二輻射窗口(32)、第三輻射窗口(33)和第四輻射窗口(34),其中,
所述第一輻射窗口(31)、所述第二輻射窗口(32)、所述第三輻射窗口(33)和所述第四輻射窗口(34)均為圓形形狀,直徑均為304μm;
所述第一輻射窗口(31)和所述第二輻射窗口(32)對稱分布在所述第一長方形結構的下方;
所述第三輻射窗口(33)和所述第四輻射窗口(34)對稱分布在所述第二長方形結構的下方;
所述上金屬層(1)的第一側壁上開設有第一凹槽(11)和第二凹槽(12),所述第一金屬片(6)形成于第一凹槽(11)中,第二金屬片(7)形成于第二凹槽(12)中;所述上金屬層(1)的與所述第一側壁相對的第二側壁上開設有第三凹槽(13)和第四凹槽(14),第三金屬片(8)形成于第三凹槽(13)中,第四金屬片(9)形成于第四凹槽(14)中,四個金屬片超出四個凹槽的長度均為100μm,四個凹槽的槽寬均為310μm,且金屬片的寬度略小于凹槽的槽寬,使得金屬片的兩側壁與相應的槽壁之間均存在一定間隙;
所述第一金屬導體柱(22)的兩端分別連接所述上金屬層(1)與所述中間金屬層(3),并且多個所述第一金屬導體柱(22)與所述上金屬層(1)和所述中間金屬層(3)共同形成差分輸入諧振腔(S)和差分輸出諧振腔(L);
所述第一凹槽(11)和所述第二凹槽(12)位于所述差分輸入諧振腔(S)中所述第三凹槽(13)和所述第四凹槽(14)位于差分輸出諧振腔(L)中;
多個所述下玻璃基板通孔(41)在所述下玻璃基板(4)上分布成三個長方形結構。
2.根據權利要求1所述的基于高次模的雙層堆疊式差分微波帶通濾波器,其特征在于,所述第二金屬導體柱(42)的兩端分別連接所述中間金屬層(3)與所述下金屬層(5),并與所述中間金屬層(3)和所述下金屬層(5)共同形成第一階諧振腔(R1)、第二階諧振腔(R2)以及第三階諧振腔(R3)。
3.根據權利要求2所述的基于高次模的雙層堆疊式差分微波帶通濾波器,其特征在于,所述第一階諧振腔(R1)位于所述差分輸入諧振腔(S)的下方,所述第三階諧振腔(R3)位于所述差分輸出諧振腔(L)的下方。
4.根據權利要求3所述的基于高次模的雙層堆疊式差分微波帶通濾波器,其特征在于,所述第一階諧振腔(R1)與第二階諧振腔(R2)之間設置有第一耦合窗口(43)和第二耦合窗口(44),用于進行所述第一階諧振腔(R1)與所述第二階諧振腔(R2)之間的磁耦合;所述第二階諧振腔(R2)與所述第三階諧振腔(R3)之間設置有第三耦合窗口(45)與第四耦合窗口(46),用于進行所述第二階諧振腔(R2)與所述第三階諧振腔(R3)之間的磁耦合。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的基于高次模的雙層堆疊式差分微波帶通濾波器,其特征在于,所述上金屬層(1)、所述中間金屬層(3)、所述下金屬層(5)、所述第一金屬導體柱(10)以及所述第二金屬導體柱(10)的材料均為銅。
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