[發明專利]一種超滑滑塊長距離零磨損滑動的裝置

有效

• 申請號: 201910477140.0
• 申請日: 2019-06-03
• 公開（公告）號: CN110230641B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 姜海洋
• 申請（專利權）人: 深圳清華大學研究院
• 主分類號: F16C29/02
• 分類號: F16C29/02;F16C33/02
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種超滑滑塊長距離零磨損滑動的裝置，包括一個超滑滑塊和一個超滑底板，所述超滑滑塊長度為1-10μm，寬度為1-10μm，厚度為20nm-10μm，超滑底板寬度為1-10μm，長度為10-100μm，高度為20nm-10μm，其中，所述超滑滑塊為矩形、其下表面為超滑面，超滑底板為長條形、其上表面為超滑面，超滑滑塊與超滑底板的寬度相等，滑塊邊緣與底板邊緣重合，二者以最大面積重合。

2.如權利要求1所述的裝置，其中，超滑滑塊為長方形或者正方形。

3.如權利要求1所述的裝置，其中，超滑滑塊材料選自石墨、石墨烯、六方氮化硼、二硫化鉬、二硒化鉬、氟化石墨烯、二硫化鎢、二硒化鎢、鉍、鉬或云母。

4.如權利要求1所述的裝置，其中，超滑底板具有原子級平整表面的任意材料。

5.如權利要求4所述的裝置，超滑底板的材料為石墨、類金剛石或絕緣聚合物材料。

6.如權利要求4所述的裝置，超滑底板的材料為石墨烯、六方氮化硼、二硫化鉬、二硫化鎢、二硒化鎢、鉍、鉬或云母。

7.一種制備如權利要求1所述裝置的工藝，包括，步驟1)制備超滑底板，步驟2)制備超滑滑塊，步驟3)在微納米級將超滑滑塊轉移至超滑底板表面，并使其邊緣重合。

8.如權利要求7所述的工藝，其中，步驟1)采用掩膜電子束曝光、反應離子刻蝕工藝制備石墨底板、通過探針推動得到超滑底板，其上表面為超滑面；步驟2)采用掩膜電子束曝光、反應離子刻蝕工藝制備石墨島、通過探針推動得到超滑滑塊，其下表面為超滑面。

9.如權利要求7所述的工藝，其中，步驟3)中的轉移方式使用微納米機械手配合探針推動超滑滑塊，并利用超滑滑塊與探針之間的范德華作用將滑塊吸附在探針上，隨后完成轉移；或者使用微納米機械手配合微鑷子，夾取超滑滑塊，隨后完成轉移。

10.一種MEMS超滑導軌，采用如權利要求1所述的裝置作為超滑導軌進行滑動。