[發(fā)明專利]一種等離子體波導(dǎo)移相器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910476281.0
• 申請(qǐng)日: 2019-06-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110277609A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 修威;田海燕;吳迪;裴瀛洲;楊光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京神舟博遠(yuǎn)科技有限公司
• 主分類號(hào): H01P1/18
• 分類號(hào): H01P1/18
• 代理公司: 北京慶峰財(cái)智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11417
• 代理人: 李文軍

1.一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，包括：

波導(dǎo)和多組固體半導(dǎo)體等離子體單元，所述固體半導(dǎo)體等離子體單元均放置在所述波導(dǎo)兩側(cè)的窄邊內(nèi)壁上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

所述等離子體波導(dǎo)移相器具有5個(gè)移相段，每個(gè)移相段的移相量分別為固定的11.25°，22.5°，45°，90°和180°，通過(guò)其相互的組合來(lái)控制所需的相位。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

所述波導(dǎo)是標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)、脊波導(dǎo)、或非標(biāo)波導(dǎo)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

所述移相段是指擁有固定移相量的一組固體半導(dǎo)體等離子體單元構(gòu)成的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括固定長(zhǎng)度的波導(dǎo)和與其長(zhǎng)度基本相同的一組固體半導(dǎo)體等離子體單元，每一個(gè)移相段的一組固體半導(dǎo)體等離子體單元狀態(tài)均有兩種狀態(tài)：移相態(tài)和非移相態(tài)，每個(gè)移相段的一組固體半導(dǎo)體等離子體單元由獨(dú)立的一個(gè)開(kāi)關(guān)控制。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

所述等離子體波導(dǎo)移相器為360度連續(xù)可調(diào)移相器，將固定移相量細(xì)化到所需的移相度數(shù)，每個(gè)移相段在兩種狀態(tài)下的相位差均為所需移相度數(shù)，通過(guò)獨(dú)立的與每個(gè)移相段一一對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路可以任意對(duì)該移相器的移相量進(jìn)行控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

每個(gè)所述固體半導(dǎo)體等離子體單元包括：SPIN二極管、依次設(shè)置于所述SPIN二極管下部的氧化層和介質(zhì)基板，介質(zhì)基板緊貼于所述波導(dǎo)的內(nèi)壁上，所述SPIN二極管位于最外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

所述介質(zhì)基板可以為硅，也可以是玻璃、藍(lán)寶石、碳化硅為材料的平面或曲面介質(zhì)基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

所述SPIN二極管設(shè)置于所述固體半導(dǎo)體等離子體單元的表面，由本征層、P⁺層和N⁺層構(gòu)成；所述SPIN二極管采用橫向結(jié)構(gòu)，所述本征層完全暴露于所述氧化層的上部，所述P⁺層和所述N⁺層分別設(shè)置于所述本征層兩側(cè)的上部；在所述P⁺層和所述N⁺層的遠(yuǎn)離所述本征層的一側(cè)的上部均設(shè)置金屬觸點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

每個(gè)所述固體半導(dǎo)體等離子體單元的長(zhǎng)度為20-200微米，寬度100-900微米，厚度為20-70微米，所述金屬觸點(diǎn)的寬度為5-20微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種等離子體波導(dǎo)移相器，其特征在于，

每組固體半導(dǎo)體等離子體單元有一個(gè)與之一一對(duì)應(yīng)的控制開(kāi)關(guān)電路，所述控制開(kāi)關(guān)電路通過(guò)導(dǎo)線與該組每一個(gè)固體半導(dǎo)體等離子體單元的P⁺層的金屬觸點(diǎn)連接，且該組所有固體半導(dǎo)體等離子體單元的N⁺層和金屬觸點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)線與電源地連接。