[發明專利]太陽能電池的背面鈍化結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201910475051.2
• 申請日: 2019-06-02
• 公開（公告）號: CN110112243A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 胡黨平;連維飛;魏青竹;倪志春;苗鳳秀;霍亭亭
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/049
• 分類號: H01L31/049;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 黃麗莉

1.一種太陽能電池的背面鈍化結構，其特征在于，所述背面鈍化結構設置于所述太陽能電池的硅片襯底背面；

所述背面鈍化結構包括疊層鈍化介質層；

所述疊層鈍化介質層包括自所述背面的表面依次向外設置的第一氧化硅膜層、氧化鋁鈍化膜層、第一氮化硅減反射層、第二氧化硅膜層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的背面鈍化結構，其特征在于，所述第一氮化硅減反射層包括自所述背面的表面依次向外設置的第一折射率氮化硅減反射層和第二折射率氮化硅減反射層；

所述第一折射率氮化硅減反射層的折射率高于所述第二折射率氮化硅減反射層的折射率。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池的背面鈍化結構，其特征在于，所述第一折射率氮化硅減反射層的膜層厚度為30～60nm；

所述第二折射率氮化硅減反射層的膜層厚度為20～40nm。

4.根據權利要求2所述的太陽能電池的背面鈍化結構，其特征在于，所述第一折射率氮化硅減反射層的折射率為2.15～2.25；

所述第二折射率氮化硅減反射層的折射率為2.05～2.10。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池的背面鈍化結構，其特征在于，所述第一氧化硅膜層的膜層厚度為1～5nm；所述第二氧化硅膜層的膜層厚度為10～30nm。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池的背面鈍化結構，其特征在于，所述氧化鋁鈍化膜層的膜層厚度為5～20nm。

7.一種太陽能電池的背面鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法具有以下步驟：S1、將太陽能電池的硅片襯底在堿制絨設備上進行前處理，在硅片襯底的背面形成拋光面；

S2、在所述硅片襯底的背面形成第一氧化硅膜層；

S3、在所述第一氧化硅膜層上形成氧化鋁鈍化膜層；

S4、在所述氧化鋁鈍化膜層上形成第一氮化硅減反射層；

S5、在所述第一氮化硅減反射層上形成第二氧化硅膜層。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池的背面鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括：在所述氧化鋁鈍化膜層上自所述氧化鋁鈍化膜層的表面依次向外形成第一折射率氮化硅減反射層和第二折射率氮化硅減反射層；

所述第一折射率氮化硅減反射層的折射率高于所述第二折射率氮化硅減反射層的折射率。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池的背面鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括：

S401、將沉積有氧化鋁鈍化膜層的硅片襯底放入化學氣相沉積設備，通入氮氣5～10slm，通入時間維持3～5min；

S402、升高溫度至450～550℃，氮氣流量為5～10slm，升溫時間為5～10min；

S403、進行抽真空和測試真空度的操作；

S404、在所述氧化鋁鈍化膜層的表面沉積第一層氮化硅減反射層；通入硅烷流量800～1500sccm，氨氣3.5～6slm，沉積時間5～10min；

S405、在所述第一層氮化硅減反射層的表面沉積第二層氮化硅減反射層；通入硅烷流量500～1000sccm，氨氣6～10slm，沉積時間3～6min；

S406、在所述第二層氮化硅減反射層上沉積第二氧化硅膜層；

S407、將硅片襯底取出化學氣相沉積設備，完成背面鈍化介質層的制備。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池的背面鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S406具體包括：在沉積第二氧化硅膜層時，通入硅烷流量400～1000sccm，笑氣4000～8000sccm，沉積時間為10～30min。