[發明專利]用于射頻線圈組件的方法和系統有效
| 申請號: | 201910474196.0 | 申請日: | 2019-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN110568389B | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 塞阿拉·德爾莫爾·斯塔克;維克托·塔拉西拉;弗雷澤·約翰·萊恩·羅伯 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | G01R33/34 | 分類號: | G01R33/34;G01R33/36;G01R33/385;A61B5/055 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;錢慰民 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 射頻 線圈 組件 方法 系統 | ||
1.一種用于磁共振成像系統的射頻線圈組件,包括:
柔性脊柱;和
至少兩個射頻線圈區段,所述至少兩個射頻線圈區段耦合到所述柔性脊柱并且可相對于彼此移動,每個射頻線圈區段包括至少一個柔性射頻線圈,每個射頻線圈包括環部分,所述環部分包括耦合電子器件部分以及由介電材料封裝和分離的至少兩個平行分布式電容線導體,其中每個分布式電容線導體包括第一終止端部和第二終止端部;
其中所述耦合電子器件部分包括前置放大器、去耦合電路和阻抗反相器電路,
其中所述去耦合電路包括去耦合二極管,所述去耦合二極管當接通時使所述至少兩個平行分布式電容線導體短路,其中所述去耦合二極管直接連接在所述至少兩個分布式電容導線導體的至少兩個第一終止端部之間;
其中所述阻抗反相器電路包括阻抗匹配網絡和輸入平衡-不平衡轉換器,所述輸入平衡-不平衡轉換器包括兩個輸入端和兩個輸出端,其中所述前置放大器包括針對高源阻抗優化的低輸入阻抗前置放大器,并且其中所述阻抗匹配網絡提供所述高源阻抗,
其中所述輸入平衡-不平衡轉換器連接在所述去耦合電路與所述前置放大器之間,所述至少兩個分布式電容線導體中的其中一個的第二終止端部直接連接所述輸入平衡-不平衡轉換器的一個輸入端;并且,
其中所述柔性脊柱沒有射頻線圈。
2.根據權利要求1所述的射頻線圈組件,還包括在每個耦合電子器件部分與射頻線圈接口連接器之間延伸的線圈接口電纜,其中所述線圈接口電纜耦合到所述柔性脊柱并沿著所述柔性脊柱延伸。
3.根據權利要求1所述的射頻線圈組件,其中所述至少兩個射頻線圈區段僅經由所述柔性脊柱彼此耦合并且不在任何其他位置處彼此直接耦合。
4.根據權利要求1所述的射頻線圈組件,其中所述至少兩個射頻線圈區段包括沿著由所述柔性脊柱限定的軸線以重疊或半重疊方式布置的四個射頻線圈區段。
5.根據權利要求4所述的射頻線圈組件,其中所述四個射頻線圈區段包括:第一射頻線圈區段,所述第一射頻線圈區段被配置為覆蓋待成像的對象的頸部;第二射頻線圈區段,所述第二射頻線圈區段被配置為覆蓋所述對象的肩部;第三射頻線圈區段,所述第三射頻線圈區段被配置為覆蓋所述對象的臂的上部;和第四射頻線圈區段,所述第四射頻線圈區段被配置為覆蓋所述對象的所述臂的下部。
6.根據權利要求4所述的射頻線圈組件,其中所述四個射頻線圈區段中的至少第一射頻線圈區段具有垂直于由所述柔性脊柱限定的所述軸線的縱向軸線。
7.根據權利要求4所述的射頻線圈組件,其中所述四個射頻線圈區段包括:第一射頻線圈區段,所述第一射頻線圈區段包括第一射頻線圈陣列,所述第一射頻線圈陣列包括布置在單行中的六個射頻線圈;
第二射頻線圈區段,所述第二射頻線圈區段包括第二射頻線圈陣列,所述第二射頻線圈陣列包括布置在單行中的五個射頻線圈;第三射頻線圈區段,所述第三射頻線圈區段包括第三射頻線圈陣列,所述
第三射頻線圈陣列包括布置在單行中的五個射頻線圈;和第四射頻線圈區段,所述第四射頻線圈區段包括第四射頻線圈陣列,所述第四射頻線圈陣列包括布置在兩行中的十個射頻線圈。
8.根據權利要求7所述的射頻線圈組件,其中所述第一射頻線圈陣列中的每個射頻線圈具有第一直徑并且所述第二射頻線圈陣列中的每個射頻線圈具有第二直徑,所述第二直徑大于所述第一直徑。
9.根據權利要求4所述的射頻線圈組件,其中至少一個射頻線圈區段耦合到兩個相應的帶。
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