[發(fā)明專利]晶圓的加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910471444.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN110265346B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉東亮;繆炳有;滕乙超;魏瑀;宋冬生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江荷清柔性電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 齊云娜

1.一種晶圓加工方法，其特征在于：包括如下步驟：

提供原始晶圓，包括圖形面及相對(duì)的背面，該圖形面具有由切割道隔開的芯片圖案；

在該芯片圖案的表面貼附保護(hù)膜；

對(duì)該原始晶圓的背面進(jìn)行減薄操作，得到超薄晶圓；

在該超薄晶圓的背面貼附支撐膜，該支撐膜包括有機(jī)膜層、膠粘劑層以及離型膜層，該離型膜層在貼附到該超薄晶圓的背面之前被去除；

去除保護(hù)膜；

在該支撐膜的表面貼附切割膠帶；

沿著圖形面的切割道對(duì)該超薄晶圓進(jìn)行切割，穿透該超薄晶圓以及該支撐膜，將超薄晶圓分割為單顆的芯片；以及

芯片分離，從該切割膠帶的下方用外力將每顆芯片從該切割膠帶表面頂起，使得每顆芯片從該切割膠帶上分離出來，分離出的芯片包括相應(yīng)的超薄晶圓以及支撐膜部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工方法，其特征在于：該減薄操作包括粗磨、細(xì)磨及拋光處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工方法，其特征在于：該超薄晶圓的厚度為15-50μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工方法，其特征在于：該減薄操作采用具有加工12英寸及以下晶圓的能力的全自動(dòng)研磨拋光機(jī)；該貼附操作采用全自動(dòng)切割貼膜機(jī)；和/或該支撐膜的貼附的方式為用切割鐵環(huán)繃貼的方式。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓加工方法，其特征在于：還包括沿著該切割鐵環(huán)的中心割除多余的支撐膜的步驟，割除之前，按照切割鐵環(huán)的尺寸設(shè)置對(duì)應(yīng)的刀片運(yùn)行軌道和割膜角度，并根據(jù)支撐膜的性質(zhì)調(diào)整割膜速度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓加工方法，其特征在于：該割膜角度為90°，割膜速度為15-20°/s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工方法，其特征在于：該有機(jī)膜層的材質(zhì)為固態(tài)的聚酰亞胺、聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。