[發明專利]一種用于轉移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法在審
| 申請號： | 201910471005.5 | 申請日： | 2019-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN112010259A | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 陳陳;周成剛 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋;趙青朵 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 轉移 器官 芯片 多孔 pdms 薄膜 方法 | ||
1.一種用于轉移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法，其特征在于，包括：
A)在襯底上旋涂光刻膠，再對光刻膠進行曝光處理；
B)對曝光后的光刻膠進行表面氧等離子處理，在其上旋涂PDMS薄膜，固化；
C)將所述固化后的PDMS薄膜光刻圖形化；
D)將圖形化后的PDMS薄膜與器官芯片上層通道鍵合，將鍵合后的組合模塊置于顯影液中超聲，即可將PDMS薄膜轉移至器官芯片的上層通道。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A)所述曝光為采用紫外光泛曝光；所述曝光時間為8～9s；所述曝光劑量為19.5mJ/cm2，所述光刻機為SUSS MA6。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A)所述光刻膠包括S1813。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A)所述襯底為硅片襯底。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A)所述旋涂的參數為3000rpm,40s；所述旋涂后還包括烘烤固化；所述烘烤溫度為110～115℃；所述固化時間為80～90s。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟B)所述表面氧等離子處理具體為：所述氧氣流量為30sccm，射頻功率為30w，表面處理時間為2～4min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟B)所述旋涂PDMS薄膜的厚度為4～10μm；步驟B)所述固化為烘烤固化，所述烘烤溫度為120～150℃；所述固化時間為25～40min。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟C)所述圖形化具體為：
a)將先利用RIE對PDMS表面進行氧等離子體處理；
b)在PDMS表面沉積鋁膜；
c)在鋁膜表面再次旋涂光刻膠，烘烤，光刻圖形化，得到圖形化光刻膠；
d)以圖形化光刻膠為模板，采用電感耦合等離子體刻蝕鋁掩膜；
e)以刻蝕后的鋁掩膜為模板，采用RIE刻蝕PDMS，再利用濕法腐蝕液將鋁掩膜去除，即可得到具有圖形化結構的PDMS薄膜。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟D)所述顯影液包括AZ300MIF。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟D)所述超聲時間為5～10min。
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