[發(fā)明專利]一種多晶硅薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910464511.1 | 申請日： | 2019-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN110164756A | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張凌越;姜波;張俊利 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶硅薄膜 襯底 二氧化硅薄膜 半導(dǎo)體 制備 清洗劑 襯底表面 堿性溶液 晶舟立柱 均勻性 爐管 沉積 清洗 | ||
1.一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
提供至少一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成二氧化硅薄膜，采用含有堿性溶液的清洗劑對所述半導(dǎo)體襯底和所述二氧化硅薄膜進行清洗，以及在所述半導(dǎo)體襯底上的二氧化硅薄膜上形成多晶硅薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述采用含有堿性溶液的清洗劑對所述半導(dǎo)體襯底和所述二氧化硅薄膜進行清洗，具體為，采用SC-1清洗液進行單獨清洗。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含有采用堿性溶液的清洗劑對所述半導(dǎo)體襯底和所述二氧化硅薄膜進行清洗，具體為，采用SPM清洗液和SC-1清洗液進行分步清洗。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，
所述采用含有堿性溶液的清洗劑對所述半導(dǎo)體襯底和所述二氧化硅薄膜進行清洗，具體為，采用SPM清洗液、SC-1清洗液和SC-2清洗液進行分步清洗。
5.如權(quán)利要求2、3或4所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述SC-1清洗液為氨水、過氧化氫和去離子水所組成的堿性混合液。
6.如權(quán)利要求5所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述氨水、過氧化氫和去離子水的體積比為1:1:100～1:2:20。
7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述采用SC-1清洗液進行清洗的溫度為23℃～35℃，清洗時間為100s～600s。
8.如權(quán)利要求3或4所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述SPM清洗液為硫酸和過氧化氫所組成的酸性溶液。
9.如權(quán)利要求4所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述SC-2清洗液為鹽酸、過氧化氫和去離子水組成的酸性溶液。
10.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，采用LPCVD的方法形成所述多晶硅薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
