[發明專利]一種太陽吸收率和紅外發射率可調控的熱控薄膜結構及其確定方法

在審

• 申請號: 201910461837.9
• 申請日: 2019-05-30
• 公開（公告）號: CN110438460A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 王志民;周暉;王藝;何延春;王虎;趙慨;吳春華;楊淼;鄭軍
• 申請（專利權）人: 蘭州空間技術物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/08
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 張潔;周蜜

1.一種太陽吸收率和紅外發射率可調控的熱控薄膜結構，其特征在于：由沉積在基底上的金屬層、兩層以上的Al₂O₃層和兩層以上的SiO₂層組成，其中，Al₂O₃層和SiO₂層的層數相同且按照Al₂O₃層在下SiO₂層在上的順序依次交替沉積；金屬層沉積在基底上，第一層Al₂O₃層沉積在金屬層上，每一次Al₂O₃層和每一次SiO₂層的厚度均在50nm以上。

2.如權利要求1所述的一種太陽吸收率和紅外發射率可調控的熱控薄膜結構，其特征在于：所述金屬膜為Al或Ag，厚度為100～200nm。

3.一種如權利要求1或2所述的太陽吸收率和紅外發射率可調控的熱控薄膜結構的確定方法，其特征在于：設定Al₂O₃層和SiO₂層的初始層數同時為兩層，按照太陽吸收率和紅外發射率要求經光學軟件設計優化得到薄膜中各層的初始厚度，當Al₂O₃層和/或SiO₂層中出現小于50nm的厚度結果時，重新設定Al₂O₃層和SiO₂層的層數，且Al₂O₃層和SiO₂層的層數相同，再次進行優化，直至得到滿足太陽吸收率和紅外發射率要求且Al₂O₃層和SiO₂層中各層厚度均在50nm以上。