[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910461808.2
• 申請(qǐng)日: 2019-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN110890375A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭煐陳;印炯烈;曹誠(chéng)漢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

一種三維半導(dǎo)體器件包括經(jīng)過第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)之間以及第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間的公共源極線，其中公共源極線和第一溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離等于公共源極線和第二溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離，并且公共源極線和第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離不同于公共源極線和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及三維半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及三維非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)

朝著小型化以生產(chǎn)具有大容量的輕、薄且小的電子產(chǎn)品的持續(xù)趨勢(shì)導(dǎo)致了對(duì)高度集成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的需求增加。為了滿足這種需求，已經(jīng)開發(fā)了三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括堆疊在襯底上的層和穿透堆疊的層的溝道結(jié)構(gòu)。襯底的每單位面積的存儲(chǔ)單元的數(shù)量可以通過增加堆疊在襯底上的層的數(shù)量而增加。然而，由于堆疊的層數(shù)的增加，在制造過程期間在堆疊結(jié)構(gòu)中會(huì)出現(xiàn)內(nèi)部應(yīng)力，導(dǎo)致各種缺陷的形成，這會(huì)因此降低三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供了三維半導(dǎo)體器件和制造該三維半導(dǎo)體器件的方法，該三維半導(dǎo)體器件防止在公共源極線和字線接觸之間出現(xiàn)橋。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種三維半導(dǎo)體器件，其包括：襯底；設(shè)置在襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)包括單元區(qū)域和墊區(qū)域；第一溝道結(jié)構(gòu)，穿透單元區(qū)域；第二溝道結(jié)構(gòu)，穿透單元區(qū)域并且在第一方向上與第一溝道結(jié)構(gòu)間隔開；第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)，穿透墊區(qū)域；第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)，穿透墊區(qū)域并且在第一方向上與第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)間隔開；以及公共源極線，經(jīng)過第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)之間以及第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間，其中公共源極線和第一溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離等于公共源極線和第二溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離，公共源極線和第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離不同于公共源極線和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間在第一方向上的距離。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種三維半導(dǎo)體器件，其包括：堆疊結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上并且包括第一墊區(qū)域、在第一方向上與第一墊區(qū)域間隔開的第二墊區(qū)域及插置在第一墊區(qū)域和第二墊區(qū)域之間的單元區(qū)域；以及第一公共源極線，穿越第一墊區(qū)域、單元區(qū)域和第二墊區(qū)域，其中第一墊區(qū)域和第二墊區(qū)域中的第一公共源極線平行于與襯底的主表面垂直的垂直方向，單元區(qū)域中的第一公共源極線相對(duì)于該垂直方向傾斜。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種三維半導(dǎo)體器件，其包括：襯底；設(shè)置在襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)包括第一墊區(qū)域、在第一方向上與第一墊區(qū)域間隔開的第二墊區(qū)域及插置在第一墊區(qū)域和第二墊區(qū)域之間的單元區(qū)域；第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)，第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)兩者位于中心平面的一側(cè)并且穿透第一墊區(qū)域，中心平面垂直于襯底的主表面、沿第一方向延伸并且將堆疊結(jié)構(gòu)二等分；第三虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第四虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)，第三虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第四虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)兩者位于中心平面的另一側(cè)并且穿透第一墊區(qū)域；第一公共源極線，經(jīng)過第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間；以及第二公共源極線，經(jīng)過第三虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第四虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)之間，其中第一公共源極線更靠近第一虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第二虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)中離中心平面更遠(yuǎn)的那個(gè)虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)，第二公共源極線更靠近第三虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)和第四虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)中離中心平面更遠(yuǎn)的那個(gè)虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)。