[發明專利]以Si為基底c軸取向生長Bi4 有效
| 申請號: | 201910460023.3 | 申請日: | 2019-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN110078131B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 段宗范;梅云;趙園欣;趙高揚 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | C01G51/00 | 分類號: | C01G51/00;C04B41/89 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 楊洲 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | si 基底 取向 生長 bi base sub | ||
1.以Si為基底c軸取向生長Bi4Ti2.95Co0.05O12多鐵薄膜,其特征在于,按重量百分比,包括以下組分:Bi(NO3)2·5H2O 7.63%-19.22%、Co(NO3)2·6H2O 0.1%-0.26%、鈦酸丁酯3.5%-8.88%、乙二醇甲醚80.4%-50.64%、乙酰丙酮8.3%-21%;
以Si為基底c軸取向生長Bi4Ti2.95Co0.05O12多鐵薄膜的制備方法,包括以下步驟:
步驟1,以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶膠為前驅體,采用浸漬提拉法在c軸取向LaNiO3緩沖的Si基底上制備Bi4Ti2.95Co0.05O12凝膠薄膜;
步驟2,對步驟1制備的Bi4Ti2.95Co0.05O12凝膠薄膜進行干燥,得到干燥的Bi4Ti2.95Co0.05O12凝膠膜;
步驟3,對步驟2制備的Bi4Ti2.95Co0.05O12干燥凝膠薄膜進行高溫退火熱處理,進而得到Bi4Ti2.95Co0.05O12的氧化物陶瓷薄膜;
所述的Bi4Ti2.95Co0.05O12溶膠,其制備方法包括以下步驟:
步驟1),將Bi(NO3)2·5H2O和乙二醇甲醚按摩爾比為0.75~3:10混合,室溫下攪拌10~30min至完全溶解,形成溶液A;
將Co(NO3)2·6H2O和乙二醇甲醚按摩爾比為9.125×10-3~0.0365:10混合,室溫下攪拌10~30min至完全溶解,形成溶液B;
將鈦酸丁酯、乙酰丙酮、乙二醇甲醚按摩爾比為0.538~2.154:10混合,室溫下攪拌10~30min至完全溶解,形成溶液C;
步驟2),將步驟1得到的溶液A、B、C混合攪拌1~6h至完全均勻,再經5~15h陳化,即可得到Bi4Ti2.95Co0.05O12溶膠。
2.根據權利要求1所述的以Si為基底c軸取向生長Bi4Ti2.95Co0.05O12多鐵薄膜,其特征在于,步驟1中,所述的Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜以單晶Si為基底,以c軸取向的LaNiO3作為緩沖層;步驟1中,浸漬提拉法制備Bi4Ti2.95Co0.05O12凝膠膜的提拉速度為0.3~1.0mm/s。
3.根據權利要求1所述的以Si為基底c軸取向生長Bi4Ti2.95Co0.05O12多鐵薄膜,其特征在于,步驟2中,Bi4Ti2.95Co0.05O12凝膠膜的干燥溫度為80~250℃,干燥時間為10~30min。
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