[發明專利]用于提高耐腐蝕性的封堵陽極氧化物有效
| 申請號: | 201910459794.0 | 申請日: | 2019-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN110958790B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | J·A·柯倫;H·李;N·A·狄克遜 | 申請(專利權)人: | 蘋果公司 |
| 主分類號: | H05K5/00 | 分類號: | H05K5/00;C25D11/02 |
| 代理公司: | 北京市漢坤律師事務所 11602 | 代理人: | 魏小薇;吳麗麗 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 提高 腐蝕性 封堵 陽極 氧化物 | ||
1.一種用于便攜式電子設備的外殼,所述外殼包括:
金屬襯底;和
覆蓋所述金屬襯底的陽極化層,所述陽極化層包括:
孔,所述孔由所述陽極化層的外表面處的開口限定,所述孔中的每一個具有從所述開口朝向所述金屬襯底延伸的孔壁,和
封堵所述孔的所述開口的脫水金屬氧化物材料,其中所述脫水金屬氧化物材料的濃度介于3wt%至10wt%之間。
2.根據權利要求1所述的外殼,其中所述脫水金屬氧化物材料的濃度隨著與所述外表面的距離的變化而減小,使得所述陽極化層遠離所述外表面的區域具有的所述脫水金屬氧化物材料的濃度小于所述脫水金屬氧化物材料在所述外表面處的濃度。
3.根據權利要求1所述的外殼,其中所述孔包括染料顆粒,所述染料顆粒設置于所述孔中,使得所述陽極化層在可見光入射到所述陽極化層的所述外表面上時具有使用CIE L*a*b*顏色空間測量的40或更小的L*值。
4.根據權利要求3所述的外殼,其中所述脫水金屬氧化物材料粘結到所述孔壁。
5.根據權利要求4所述的外殼,其中所述陽極化層和封堵所述孔的所述開口的所述脫水金屬氧化物材料具有對應的外表面,以在所述可見光入射到所述陽極化層的所述外表面上時使光干涉效應最小化。
6.根據權利要求1所述的外殼,其中所述陽極化層包括水分不可透阻隔件,所述水分不可透阻隔件包括再水合金屬氧化物材料。
7.根據權利要求1所述的外殼,其中所述脫水金屬氧化物材料具有介于10納米至30納米之間的厚度。
8.根據權利要求1所述的外殼,其中所述脫水金屬氧化物材料為脫水三羥鋁石或脫水勃姆石。
9.一種用于便攜式電子設備的外殼,所述外殼包括:
鋁合金襯底;和
覆蓋所述鋁合金襯底的脫水陽極層,所述脫水陽極層包括:
孔,所述孔由所述脫水陽極層的外表面處的開口限定,和
水分不可透阻隔件,所述水分不可透阻隔件包括氧化鋁,其中所述氧化鋁封堵所述孔的所述開口,并且所述水分不可透阻隔件具有介于10納米至30納米之間的厚度。
10.根據權利要求9所述的外殼,其中所述孔進一步由孔壁限定,并且所述氧化鋁涂覆所述孔壁。
11.根據權利要求9所述的外殼,其中所述孔還包括染料顆粒,使得所述脫水陽極層在可見光入射到所述脫水陽極層的外表面上時具有使用CIE L*a*b*色彩空間測量的40或更小的L*值。
12.根據權利要求9所述的外殼,其中所述氧化鋁包括脫水三羥鋁石或脫水勃姆石。
13.根據權利要求9所述的外殼,其中所述氧化鋁的濃度隨著與所述脫水陽極層的所述外表面的距離的變化而減小,使得所述脫水陽極層遠離所述外表面的區域具有的所述氧化鋁的濃度小于所述氧化鋁在所述外表面處的濃度。
14.根據權利要求9所述的外殼,其中所述氧化鋁的濃度介于3wt%至10wt%之間。
15.一種用于形成便攜式電子設備外殼的方法,所述外殼包括金屬襯底和覆蓋所述金屬襯底的陽極化層,所述陽極化層形成從所述陽極化層的外表面朝向所述金屬襯底延伸的開口,所述方法包括:
用水合材料密封所述陽極化層的所述開口,以及
通過在不大于85℃的溫度下加熱所述水合材料或通過將所述水合材料暴露于真空壓力以使所述水合材料脫水,而在所述陽極化層的孔內形成脫水材料,所述脫水材料封堵所述孔的所述開口。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述水合材料包括氧化鋁氫氧化物。
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