[發明專利]一種Cu-NbMoTaW合金及其制備方法

有效

• 申請號: 201910458458.4
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110144484B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 張金鈺;趙建拓;王亞強;吳凱;劉剛;孫軍
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C22C9/00
• 分類號: C22C9/00;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/35
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 范巍

1.一種Cu-NbMoTaW合金，其特征在于，所述Cu-NbMoTaW中原子百分比為：Nb、Mo、Ta和W四種元素的含量相同，四種元素總占百分比為1.9~22.1，其余為Cu；所述Cu-NbMoTaW合金的晶粒為柱狀納米晶，其晶粒尺寸為5.0-55nm，所述柱狀納米晶中含有納米孿晶，納米孿晶的百分比不超過65%；

所述Cu-NbMoTaW合金的納米壓痕硬度為3.27GPa~5.95GPa。

2.根據權利要求1所述的Cu-NbMoTaW合金，其特征在于：所述NbMoTaW的原子總百分比為22.1%。

3.一種如權利要求1或2所述的Cu-NbMoTaW合金的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、對基體表面進行清洗烘干；

具體為，將拋光的基體依次在丙酮和酒精中超聲清洗10 min，然后烘干，拋光面的粗糙度小于0.8 nm；

步驟2、將基體送入磁控濺射鍍膜室，然后抽真空；

步驟3、采用磁控濺射共濺射方法在基體上制備Cu-NbMoTaW合金；

Cu靶純度99.99 wt%，直流電源功率200 W，NbMoTaW靶純度99.97 wt%、射頻電源功率20~250 W，沉積氣壓0.5 Pa，沉積溫度為室溫，基盤轉速15 r/min，沉積時間5000 s；

步驟4、將步驟3得到的基體進行真空冷卻，得到Cu-NbMoTaW合金。

4.根據權利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制備方法，其特征在于，步驟2中所述抽真空至背底真空度小于4.0×10^-4 Pa。

5.根據權利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制備方法，其特征在于，步驟3中所述磁控濺射共濺射方法為，Cu靶采用直流電源進行濺射，NbMoTaW靶采用射頻電源進行濺射。

6.根據權利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制備方法，其特征在于，步驟4制備的Cu-NbMoTaW合金厚度為1.5 μm。