[發明專利]一種耦合式寬帶微帶到介質集成波導的過渡結構

有效

• 申請號: 201910458132.1
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110165351B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 張濤;朱樟明;盧啟軍;尹湘坤;劉陽;劉曉賢
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01P5/10
• 分類號: H01P5/10
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 張捷

1.一種耦合式寬帶微帶到介質集成波導的過渡結構，其特征在于，包括：

第一介質層(1)；

第一金屬層(2)，位于所述第一介質層(1)的下方，所述第一金屬層(2)中設置有貫穿所述第一金屬層(2)的開槽縫隙(8)；

第二介質層(3)，位于所述第一金屬層(2)的下方；

第二金屬層(4)，位于所述第二介質層(3)的下方；

微帶結構(7)，位于所述第一介質層(1)上表面，所述微帶結構(7)包括微帶叉狀結構(5)、阻抗變換器(6)和微帶線(71)，所述微帶叉狀結構(5)包括第一邊(51)、第二邊(52)和第三邊(53)，其中，所述第一邊(51)和所述第二邊(52)平行對稱設置，所述第三邊(53)設置于所述第一邊(51)的第一端和所述第二邊(52)的第一端之間，且與所述第一邊(51)和所述第二邊(52)相互垂直，所述微帶線(71)、所述阻抗變換器(6)和所述第三邊(53)依次連接，且所述開槽縫隙(8)在所述第二介質層(3)的正投影同時搭接于所述微帶叉狀結構(5)的所述第一邊(51)和所述第二邊(52)上；

介質集成波導結構，設置于所述第二介質層(3)中，所述微帶結構(7)與所述介質集成波導結構通過所述第一金屬層(2)的所述開槽縫隙(8)實現能量耦合，所述介質集成波導結構包括第一金屬孔組(10)和第二金屬孔組(11)，所述第一金屬孔組(10)和所述第二金屬孔組(11)均包括有間隔相同且均勻布置的若干貫穿所述第二介質層(3)的通孔，且所述第一金屬孔組(10)包括第一子金屬孔組(101)和第二子金屬孔組(102)，其中，所述第一子金屬孔組(101)和所述第二子金屬孔組(102)平行對稱設置，所述第二金屬孔組(11)設置于所述第一子金屬孔組(101)的第一端和所述第二子金屬孔組(102)的第一端之間，且與所述第一子金屬孔組(101)和所述第二子金屬孔組(102)相互垂直，在所述第一子金屬孔組(101)和所述第二子金屬孔組(102)之間，還設置有貫穿所述第二介質層(3)的金屬匹配孔(9)。

2.根據權利要求1所述的過渡結構，其特征在于，所述第一金屬孔組(10)和所述第二金屬孔組(11)滿足以下關系：

其中，p為相鄰兩個所述通孔之間的間距，d為所述通孔的直徑，λc為波導截止波長。

3.根據權利要求1所述的過渡結構，其特征在于，所述第二金屬孔組(11)的中心線與所述開槽縫隙(8)中心之間的垂直距離為四分之一波導波長。