[發(fā)明專利]一種結(jié)勢壘肖特基二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910458056.4
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110197853A
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋慶文;張玉明;湯曉燕;袁昊;張藝蒙;范鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 張捷

1.一種結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，自上而下依次包括陽極電極層(1)、隔離介質(zhì)層(2)、N-外延層(3)、N+襯底層(4)和陰極電極層(5)，其中，

在所述N-外延層(3)的上表面設(shè)置有多個P型離子注入?yún)^(qū)(6)；

相鄰所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的間距從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣呈減小趨勢；

所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的深度從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣呈減小趨勢。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，多個所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)均為同心的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，多個所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)均為矩形，并且在所述N-外延層(3)的上表面分布成陣列結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的間距從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣以連續(xù)方式減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的間距從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣以階梯方式減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，多個所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的深度從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣以連續(xù)方式減小。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，多個所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的深度從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣以階梯方式減小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述N-外延層(3)與所述陽極電極層(1)之間形成N型肖特基接觸區(qū)(7)，每個所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)與所述陽極電極層(1)之間均形成P型肖特基接觸區(qū)(8)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的間距≥2μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的結(jié)勢壘肖特基二極管，其特征在于，每個所述P型離子注入?yún)^(qū)(6)的深度均≥1.5μm。