[發(fā)明專(zhuān)利]原位實(shí)時(shí)等離子腔室狀態(tài)監(jiān)測(cè)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910457530.1
• 申請(qǐng)日: 2019-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111261544A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T-Y·謝;S·R·庫(kù)拉庫(kù)拉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種方法，包括：

對(duì)于腔室中的每個(gè)晶片，原位監(jiān)測(cè)所述腔室中的自由基的頻率和波長(zhǎng)；

將所述自由基的所述頻率和所述波長(zhǎng)與至少一種選定的化學(xué)物質(zhì)相關(guān)聯(lián)；以及

將所相關(guān)聯(lián)的自由基與指數(shù)進(jìn)行比較，其中所述指數(shù)包括所述至少一種選定的化學(xué)物質(zhì)中的每種化學(xué)物質(zhì)的目標(biāo)范圍。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)所相關(guān)聯(lián)的自由基不在所述目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí)，響應(yīng)于所述比較而改變?cè)磺皇覡顟B(tài)配方。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將所述腔室置于以下中的一個(gè)中：

當(dāng)所相關(guān)聯(lián)的自由基降至低于所述目標(biāo)范圍時(shí)將所述腔室置于預(yù)防性維護(hù)周期；并且

當(dāng)所相關(guān)聯(lián)的自由基在所述目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí)將所述腔室置于生產(chǎn)周期中。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括繪制每個(gè)比較。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)在以下中的至少一個(gè)時(shí)提供警報(bào)：

所相關(guān)聯(lián)的自由基在所述目標(biāo)范圍內(nèi)；

所相關(guān)聯(lián)的自由基低于所述目標(biāo)范圍；以及

所相關(guān)聯(lián)的自由基高于所述目標(biāo)范圍。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在以下中的一個(gè)期間發(fā)生監(jiān)測(cè)：

晶片生產(chǎn)周期；以及

腔室清潔周期。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述腔室清潔周期包括：

腔室調(diào)配周期；以及

腔室檢定周期。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

調(diào)配晶片，直到所述腔室內(nèi)的氫氧化物水平處于穩(wěn)定狀態(tài)；以及

執(zhí)行檢定周期。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述監(jiān)測(cè)和所述比較包括以下中的至少一個(gè)：

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氫氧化物相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氫氧化物自由基與關(guān)于氫氧化物的指數(shù)進(jìn)行比較；以及

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氟相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并將所相關(guān)聯(lián)的氟自由基與關(guān)于氟的指數(shù)進(jìn)行比較。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述監(jiān)測(cè)和所述比較包括以下中的至少一個(gè)：

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氫氧化物相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氫氧化物自由基與關(guān)于氫氧化物的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氟相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氟自由基與關(guān)于氟的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氫相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氫自由基與關(guān)于氫的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氯相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氯自由基與關(guān)于氯的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氧相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氧自由基與關(guān)于氧的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氬相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氬自由基與關(guān)于氬的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氙相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氙自由基與關(guān)于氙的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與硅相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的硅自由基與關(guān)于硅的指數(shù)進(jìn)行比較；

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與氮化硅相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的氮化硅自由基與關(guān)于氮化硅的指數(shù)進(jìn)行比較；以及

監(jiān)測(cè)在所述腔室中與碳相關(guān)聯(lián)的所述自由基的頻率和波長(zhǎng)，并且將所相關(guān)聯(lián)的碳自由基與關(guān)于碳的指數(shù)進(jìn)行比較。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將多個(gè)晶片插入所述等離子體腔室中。