[發明專利]垂直磁隨機存取存儲器的多層自旋軌道矩電極

在審

• 申請號: 201910456880.6
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110660899A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: T.戈薩維;S.馬尼帕特魯尼;林家慶;K.奧古斯;C.維根;A.史密斯;佐藤德之;K.奧布里恩;B.布福德;I.楊;M.D.T.拉曼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李嘯;楊美靈

1. 一種自旋軌道矩（SOT）電極，包括：

具有與磁性隧道結（MTJ）的自由層耦合的第一面的第一層；以及

與所述第一層的與所述第一面相對的第二面耦合的第二層，其中所述第一SOT層中的電阻的值低于所述第二SOT層中的電阻的值。

2.如權利要求1所述的SOT電極，其中所述第一SOT層中的自旋電導率的值高于所述第二SOT層中的自旋電導率的值。

3.如權利要求1所述的SOT電極，其中施加到所述SOT電極的電流將使得電流優先在所述第一SOT層中流動，以使得所述自由層的磁極化改變方向。

4.如權利要求3所述的SOT電極，其中所述自由層的所述磁極化大體上垂直于所述第一層的所述第一面。

5.如權利要求1、2、3或4所述的SOT電極，其中所述第一層和所述第二層包含以下一種或多種：石墨烯、TiS₂、WS₂、MoS₂、TiSe₂、WSe₂、MoSe₂、B₂S₃、Sb₂S₃、Ta₂S、Re₂S₇、LaCPS₂、LaOAsS₂、ScOBiS₂、GaOBiS₂、AlOBiS₂、LaOSbS₂、BiOBiS₂、YOBiS₂、InOBiS₂、LaOBiSe₂、TiOBiS₂、CeOBiS₂、PrOBiS₂、NdOBiS₂、LaOBiS₂或SrFBiS₂。

6.如權利要求1所述的SOT電極，其中所述第一層的所述第一面具有比與所述第一層的所述第二面耦合的所述第二層的一面相對的所述第二層的一面更小的面積。

7.一種設備，包括：

具有自由層的磁性隧道結（MTJ）；

與所述自由層耦合的自旋軌道矩（SOT）電極的第一面的第一層；以及

與所述第一層的與所述第一面相對的第二面耦合的所述SOT電極的第二層，其中所述第一SOT層中的電阻的值低于所述第二SOT層中的電阻的值。

8.如權利要求7所述的設備，其中所述第一SOT層中的自旋電導率的值高于所述第二SOT層中的自旋電導率的值。

9.如權利要求7所述的設備，其中施加到所述SOT電極的電流將使得電流優先在所述第一SOT層中流動，以使得所述自由層的磁極化改變方向。

10.如權利要求9所述的設備，其中所述自由層的所述磁極化大體上垂直于所述第一層的所述第一面。

11.如權利要求9所述的設備，其中施加的電流是第一電流；并且進一步包括，其中沿與所述第一電流相反的方向施加到所述SOT電極的第二電流將使得電流優先在所述第一SOT層中流動，以使得所述自由層的磁極化改變方向。