[發明專利]LED芯片及其制備方法、芯片晶圓、Micro-LED顯示裝置

有效

• 申請號: 201910456585.0
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110164900B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 侯孟軍;李延釗;孟虎;劉宗民
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種LED芯片及其制備方法、芯片晶圓、Micro?LED顯示裝置，涉及顯示技術領域，可以解決LED芯片側壁受損形成漏電通道，進而影響LED芯片的發光效率的問題。該LED芯片包括依次層疊設置的第一電極、第一半導體圖案、發光圖案、第二半導體圖案以及第二電極；第一電極與第一半導體圖案接觸，第二電極與第二半導體圖案接觸，第二電極為透明電極；第一半導體圖案和/或第二半導體圖案在發光圖案上的正投影的邊界位于發光圖案的邊界以內；第一半導體圖案、第二半導體圖案以及發光圖案沿LED芯片的厚度方向具有重疊區域；第一半導體圖案為n型半導體，第二半導體圖案為p型半導體；或者，第一半導體圖案為p型半導體，第二半導體圖案為n型半導體。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種LED芯片及其制備方法、芯片晶圓、Micro-LED顯示裝置。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)是一種能夠將電能轉換成特定波長范圍的光的半導體元件。發光二極管的發光原理是電子和空穴復合發光。

發光二極管具有低功耗、尺寸小、亮度高、易與集成電路匹配及可靠性高等優點，目前常作為光源被廣泛應用。隨著LED技術的成熟，直接使用LED作為亞像素的LED顯示裝置或Micro-LED(微型LED)顯示裝置逐漸發展起來。

發明內容

本發明的實施例提供一種LED芯片及其制備方法、芯片晶圓、Micro-LED顯示裝置，可以解決LED芯片側壁受損形成漏電通道，進而影響LED芯片的發光效率的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種LED芯片，包括依次層疊設置的第一電極、第一半導體圖案、發光圖案、第二半導體圖案以及第二電極；所述第一電極與所述第一半導體圖案接觸，所述第二電極與所述第二半導體圖案接觸，所述第二電極為透明電極；所述第一半導體圖案和/或所述第二半導體圖案在所述發光圖案上的正投影的邊界位于所述發光圖案的邊界以內；所述第一半導體圖案、所述第二半導體圖案以及所述發光圖案沿所述LED芯片的厚度方向具有重疊區域；其中，所述第一半導體圖案為n型半導體，所述第二半導體圖案為p型半導體；或者，所述第一半導體圖案為p型半導體，所述第二半導體圖案為n型半導體。

在一些實施例中，所述第二半導體圖案在所述發光圖案上的正投影的邊界位于所述發光圖案的邊界以內；所述第一半導體圖案在所述發光圖案上的正投影的邊界與所述發光圖案的邊界重疊。

在一些實施例中，所述第二半導體圖案在所述發光圖案上的正投影的邊界與靠近該邊界的所述發光圖案的邊界沿第一方向的距離為所述第二半導體圖案沿所述第一方向的長度的0.5倍～3倍。

在一些實施例中，所述LED芯片還包括設置在所述第二半導體圖案上的黑矩陣圖案；所述第二半導體圖案在所述黑矩陣圖案上的正投影位于所述黑矩陣圖案的鏤空區域內。

在一些實施例中，所述第一電極為反射電極。

第二方面，提供一種芯片晶圓，包括襯底以及設置在所述襯底上的多個上述的LED芯片；第一半導體圖案與所述襯底接觸，第一電極穿過所述襯底上的過孔與所述第一半導體圖案接觸。

第三方面，提供一種Micro-LED顯示裝置，包括電路基板以及設置在所述電路基板上的多個上述的LED芯片。