[發明專利]像素結構及具有該像素結構的顯示面板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201910454947.2 | 申請日: | 2019-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN110085654B | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 林立;黨鵬樂;高孝裕 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈曉敏 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 具有 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明揭示了一種像素結構及具有該像素結構的顯示面板、顯示裝置,像素結構包括呈矩陣排列的多個重復單元,多個重復單元包括沿矩陣的行方向交替設置的第一重復單元及第二重復單元,第一重復單元包括偶數像素序列及沿行方向位于偶數像素序列兩側的兩個奇數像素序列,偶數像素序列中的子像素被兩個奇數像素序列中的子像素共用,且偶數像素序列中的子像素與同一奇數像素序列中的子像素形成第一像素單元,第二重復單元中的若干子像素沿矩陣的列方向依次排列,且沿列方向相鄰的若干第二重復單元中的子像素共用而形成若干第二像素單元。本發明在獲得較高的像素分辨率的同時,通過獨用子像素序列與共用子像素序列交替排布有效提高圖像細節顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素結構及具有該像素結構的顯示面板、顯示裝置。
背景技術
由于高分辨率能夠顯示更細膩的色彩和更多的圖像細節,可以給用戶帶來更好的視覺體驗,因此高分辨率的顯示設備越來越受到用戶的青睞。
目前的顯示技術所采用的基本原理都是相同的,即用紅、綠、藍三色子像素構成一個像素,每個像素的顏色可以由紅、綠、藍三種顏色根據不同的亮度級別調配出來,顯示出來的圖像實際就是像素的顯示狀態的集合。當單位面積內的像素更多時,能夠表現的圖像細節就更多。
不同于采用背光的顯示設備依靠濾光片獲得不同顏色的子像素,自發光的顯示設備,每個子像素都是依靠發光材料的電激發發光。因此自發光的顯示設備,提高分辨率的方法就是把子像素的尺寸做得更小。
傳統的RGB并置像素排列方式,最高只能達到200~300PPI,難以實現高分辨率的顯示效果。隨著用戶對顯示面板分辨率的需求越來越高,這種RGB像素并置的方式已不能滿足產品高PPI的設計要求。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠提高圖像細節顯示效果的像素結構及具有該像素結構的顯示面板、顯示裝置。
為實現上述發明目的之一,本發明一實施方式提供一種像素結構,包括呈矩陣排列的多個重復單元,所述多個重復單元包括沿矩陣的行方向交替設置的第一重復單元及第二重復單元,所述第一重復單元包括偶數像素序列及沿行方向位于所述偶數像素序列兩側的兩個奇數像素序列,所述偶數像素序列中的子像素被兩個奇數像素序列中的子像素共用,且所述偶數像素序列中的子像素與同一奇數像素序列中的子像素形成第一像素單元,所述第二重復單元中的若干子像素沿所述矩陣的列方向依次排列,且沿列方向相鄰的若干第二重復單元中的子像素共用而形成若干第二像素單元,奇數像素序列中的子像素為獨用子像素。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述第一像素單元中的若干子像素的中心連線呈三角形,所述第二像素單元中的若干子像素的中心位于同一直線上。
作為本發明一實施方式的進一步改進,相鄰的所述第一重復單元及所述第二重復單元組合形成重復單元組,所述重復單元組沿行方向及列方向重復排列。
作為本發明一實施方式的進一步改進,于同一個第一重復單元中的兩個所述奇數像素序列對稱分布于對應的偶數像素序列的兩側。
作為本發明一實施方式的進一步改進,位于同一個第一重復單元中的所述奇數像素序列中的子像素與相鄰的所述偶數像素序列中的子像素交錯排布。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述奇數像素序列包括沿列方向依次排布的第一子像素、第二子像素及第三子像素,所述偶數像素序列包括沿列方向依次排布的第三子像素、第一子像素及第二子像素,所述奇數像素序列中的第一子像素、第二子像素與所述偶數像素序列中的第三子像素形成第一像素單元,其中,所述第三子像素與所述第一子像素及所述第二子像素相鄰接;且所述奇數像素序列中的第三子像素與所述偶數像素序列中的第一子像素、第二子像素形成第一像素單元,其中,所述第三子像素與所述第一子像素及所述第二子像素相鄰接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





