[發(fā)明專利]集成電路器件和集成電路單元的布局圖生成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910454755.1
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110660788B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建盈;魯立忠;田麗鈞;郭大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種生成集成電路單元的布局圖的方法，所述集成電路單元的布局圖存儲在非易失性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上，所述方法包括：

通過以下方式使所述集成電路單元的布局圖中的第一單元與第二單元鄰接：

所述第一單元的邊界突出件配合在所述第二單元的邊界凹槽內(nèi)，和

使所述集成電路單元的布局圖的第一柵極區(qū)域與所述邊界突出件交叉并與所述第二單元的第一有源區(qū)交叉；

其中，通過以下步驟限定所述第一單元或所述第二單元的邊界的邊界凹槽：

所述邊界的第一部分沿著第一方向延伸；

所述邊界的第二部分在垂直于所述第一方向的第二方向上遠(yuǎn)離所述第一部分延伸，所述第二部分與所述第一部分是連續(xù)的；以及

所述邊界的第三部分在所述第二方向上遠(yuǎn)離所述第一部分延伸，所述第三部分與所述第一部分是連續(xù)的；以及

通過有源區(qū)在與所述第二方向相反的第三方向上遠(yuǎn)離所述第一部分延伸將所述有源區(qū)定位在所述第一單元或所述第二單元中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：基于所述集成電路單元的布局圖，制造以下至少一個(gè)：

一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體掩模；或者

半導(dǎo)體集成電路層中的至少一個(gè)部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述有源區(qū)是所述第一單元或所述第二單元中的多個(gè)有源區(qū)的第一有源區(qū)；以及

所述方法進(jìn)一步包括通過第二有源區(qū)在所述第三方向上遠(yuǎn)離所述第一部分延伸而定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，

定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第一有源區(qū)包括：在PMOS器件中包括所述多個(gè)有源區(qū)的所述第一有源區(qū)；以及

定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)包括：在NMOS器件中包括所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

所述有源區(qū)是所述第一單元或所述第二單元中的多個(gè)有源區(qū)的第一有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)的每個(gè)有源區(qū)都在所述第三方向上延伸，以及

所述方法進(jìn)一步包括通過沿著所述第一方向?qū)?zhǔn)所述多個(gè)有源區(qū)的第二有源區(qū)、所述多個(gè)有源區(qū)的第三有源區(qū)、所述第二部分、和所述第三部分來定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)和所述多個(gè)有源區(qū)的所述第三有源區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，

定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)包括：在PMOS器件中包括所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)；以及

定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第三有源區(qū)包括：在NMOS器件中包括所述多個(gè)有源區(qū)的所述第三有源區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，限定所述第一單元或所述第二單元的邊界的邊界凹槽包括通過以下方式限定所述邊界的邊界突出件：

所述邊界的第四部分在所述第一方向上延伸；

所述邊界的第五部分在所述第二方向上遠(yuǎn)離所述第四部分延伸，所述第五部分與所述第四部分是連續(xù)的；以及

第六部分在所述第二方向上遠(yuǎn)離所述第四部分延伸，所述第六部分與所述第四部分是連續(xù)的；

其中，所述有源區(qū)位于所述第一部分和所述第四部分之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，

所述有源區(qū)是所述第一單元或所述第二單元中的多個(gè)有源區(qū)的第一有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)的每個(gè)有源區(qū)都在所述第三方向上延伸，

限定所述第一單元或所述第二單元的邊界的邊界凹槽進(jìn)一步包括：所述邊界的第七部分在所述第二方向上延伸，所述第七部分與所述第四部分是不連續(xù)并且平行于所述第五部分和所述第六部分，以及

所述方法進(jìn)一步包括：通過在所述第一方向上對準(zhǔn)所述多個(gè)有源區(qū)的所述第一有源區(qū)、所述多個(gè)有源區(qū)的第二有源區(qū)、所述第五部分、所述第六部分和所述第七部分來定位所述多個(gè)有源區(qū)的所述第二有源區(qū)。