[發明專利]背面密合薄膜及切割帶一體型背面密合薄膜

在審

• 申請號: 201910451776.8
• 申請日: 2019-05-28
• 公開（公告）號: CN110544665A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 佐藤慧;志賀豪士;高本尚英
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L23/552;C09J7/10
• 代理公司: 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;李茂家<國際申請>=<國際公布>

提供背面密合薄膜及切割帶一體型背面密合薄膜。背面密合薄膜適于確保良好的紅外線遮蔽性和激光標記性、能夠以貼接于半導體芯片的背面的狀態實施基于從該芯片背面側的紅外線顯微鏡觀察的芯片檢查。提供具備該背面密合薄膜的切割帶一體型背面密合薄膜。作為本發明的背面密合薄膜的薄膜含有在可見光和近紅外線的波長區域內的不同波長處分別具有最大吸收的多個吸光成分。對由薄膜準備的厚度25μm的薄膜試樣片測定的波長1000nm的光線的總透光率相對于對同一試樣片測定的波長1800nm的光線的總透光率的比值為1.2以上。切割帶一體型背面密合薄膜X具備切割帶(20)和以可剝離的方式密合于其粘合劑層(22)的薄膜(10)。

技術領域

本發明涉及能用于覆蓋保護半導體芯片的背面的背面密合薄膜、及具備這種背面密合薄膜的切割帶一體型背面密合薄膜。

背景技術

具備進行了倒裝芯片安裝的半導體芯片的半導體裝置中，在該芯片中與形成有電路的所謂表面相反的里面和/或背面上，有時設置成為保護膜的薄膜。另外，要求在半導體芯片上的這種背面密合薄膜上，利用可見光區域的波長的激光能適當地刻印文字信息、圖形信息等各種信息。對于這種背面密合薄膜，記載于例如下述的專利文獻1～3中。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-250970號公報

專利文獻2：日本特開2008-6386號公報

專利文獻3：日本特開2008-166451號公報

發明內容

發明要解決的問題

對半導體芯片用的背面密合薄膜有時要求紅外線遮蔽功能。這是因為有時紅外線對于半導體芯片的電路的輸入/輸出信號而言會成為噪音。另外，半導體芯片越薄，該芯片在其厚度方向受到紅外線照射時透過該芯片厚度方向的紅外線的量越有增大的傾向。因此，有半導體芯片越薄型化，背面密合薄膜對紅外線遮蔽功能的要求越強的傾向。

另一方面，對于半導體芯片，作為用于檢查有無裂紋、缺口等的檢查，有時實施基于紅外線顯微鏡觀察的檢查。該檢查中大多使用處于900～1200nm的波長范圍內的紅外線。

另外，在具備倒裝芯片安裝型的半導體芯片的半導體裝置的制造過程中，有時使用與半導體晶圓相對應的尺寸的圓盤形狀的背面密合薄膜與切割帶貼合而成的復合薄膜(切割帶一體型背面密合薄膜)。

本發明是基于如上所述的實際情況而想到的，其目的在于，提供適于確保良好的紅外線遮蔽性和激光標記性、并且能夠在貼接于半導體芯片的背面的狀態下實施基于從該芯片背面側的紅外線顯微鏡觀察的芯片檢查的背面密合薄膜。另外，本發明的另一目的在于提供具備這種背面密合薄膜的切割帶一體型背面密合薄膜。

用于解決問題的方案

根據本發明的第1方面，提供背面密合薄膜。該背面密合薄膜含有多個吸光成分，所述多個吸光成分在可見光及近紅外線的波長區域內的不同波長處分別具有最大吸收。本發明中，可見光及近紅外線的波長區域是指360～2500nm的波長區域。對由該背面密合薄膜準備的厚度25μm的背面密合薄膜試樣片測定的波長1000nm的光線的第2總透光率相對于對相同試樣片測定的波長1800nm的光線的第1總透光率的比的值為1.2以上，優選為1.4以上、更優選為1.6以上。