[發明專利]一種顯示裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 201910451601.7 | 申請日: | 2019-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN112018248A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 張瀧方;劉嵩 | 申請(專利權)人: | 固安鼎材科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括襯底基板、位于所述襯底基板之上的陽極層和陰極層以及位于所述陽極層與所述陰極層之間的有機層;有機層包括空穴傳輸層、輔助發光層、發光層和電子傳輸層;
其特征在于,所述發光層包括第一發光層和第二發光層,第一發光層與第二發光層相互平行,所述輔助發光層包括第一輔助發光層和第二輔助發光層;所述第一輔助發光層和所述第一發光層形成第一發光單元;所述第一輔助發光層、第二輔助發光層和第二發光層形成第二發光單元。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一輔助發光層用開放式金屬掩膜板蒸鍍而成,所述第一發光層為藍色發光層;所述第二發光層為藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層和黃色發光層中的任意一種。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述有機層中還包括第三發光層和第三輔助發光層,第三發光層與第一發光層或第二發光層相互平行,第三發光層與第一發光層或者第二發光層在一個平面上或不在一個平面上,所述第一輔助發光層、第三輔助發光層和第三發光層形成第三發光單元;所述第三發光層為藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層和黃色發光層中的任意一種。
4.根據權利要求1或2所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一輔助發光層所用有機材料的HOMO能級比所述第二輔助發光層所用有機材料的HOMO差值小于等于0.2eV,優選0.05eV。
5.根據權利要求3所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一輔助發光層所用有機材料的HOMO能級比所述第三輔助發光層所用有機材料的HOMO差值小于等于0.2eV,優選0.05eV。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一輔助發光層包括具有式(1)所示的結構的化合物中的任意一種或至少兩種組合;
式(1)中,所述Ar1、Ar2各自獨立地選自取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的雜環芳基中的任意一種;
式(1)中,所述R1選自取代或者未取代的C1-C30的烷基、取代或者未取代的C6-C30的芳基中的任意一種,n為1-5的整數;
式(1)中,所述R2、R3各自獨立地選自H、取代或者未取代的C1-C12的烷基、取代或者未取代的C1-C8的烷氧基、取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的雜環芳基中的任意一種,m和p分別獨立為1-4的整數;
式(1)中,當m和p分別獨立大于1時,R2相同或不同,且相鄰的兩個R2之間稠合成環或不稠合成環,R3相同或不同,且相鄰的兩個R3之間稠合成環或不稠合成環;
當所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基時,所述取代基各自獨立地選自鹵素、C1-C10的烷基或環烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基團、C6-C30的芳基、C3-C30的雜環芳基;
優選地,式(1)中,所述R1選自取代或者未取代的C1-C10的烷基、取代或者未取代的C6-C20的芳基中的任意一種;
式(1)中,所述R2、R3各自獨立地選自H、取代或者未取代的C1-C6的烷基、取代或者未取代的C1-C6的烷氧基、取代或者未取代的C6-C20的芳基、取代或者未取代的C3-C20的雜環芳基中的任意一種;
式(1)中,所述Ar1、Ar2各自獨立地選自取代或者未取代的C6-C20的芳基、取代或者未取代的C3-C20的雜環芳基中的任意一種;
優選地,式(1)中,當所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基時,所述取代基各自獨立地選自鹵素、C1-C5的烷基或環烷基、C6-C20的芳基、C3-C20的雜環芳基;
優選地,式(1)中,所述R1選自甲基、乙基、丙基、環己基、苯基、聯苯基、甲苯基、5-甲基四氫化萘基、萘基、苯并芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、三聯苯基、蒽基、菲基、芘基或基中的任意一種;
式(1)中,所述R2、R3各自獨立地選自H、甲基、乙基、苯基、聯苯基、萘基、芴基、螺芴基、吡啶基、聯吡啶基、嘧啶基、吡咯基、苯基吡啶基、吡嗪基、喹啉基、三嗪基、苯并三嗪基、苯并吡嗪基、苯并喹啉基、二苯并吡咯基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9-萘基咔唑并咔唑基或二苯并咔唑基中的任意一種;
式(1)中,所述Ar1、Ar2各自獨立地選自苯基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、對-三聯苯基-4-基、對-三聯苯基-3-基、對-三聯苯基-2-基、間-三聯苯基-4-基、間-三聯苯基-3-基、間-三聯苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、苯并芴基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9,9’-二烷基芴、9,9’-螺二芴基、茚并芴基、熒蒽基、三亞苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或二苯并硒吩基中的任意一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





