[發明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201910447752.5 | 申請日: | 2019-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN110212110B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 張興永 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區和環繞所述顯示區的阻擋墻,所述阻擋墻的頂部具有多個平行設置的凹槽結構,所述多個凹槽結構的延伸方向平行于所述阻擋墻的延伸方向;
其中,阻擋墻包括第一區段和第二區段,所述第一區段包括多個第一子區段,所述多個第一子區段沿所述第一區段的長度方向延伸,相鄰的兩個第一子區段之間具有第一間隔,所述第二區段與所述第一區段平行設置,所述第二區段包括多個第二子區段,相鄰的兩個第二子區段之間具有第二間隔,所述多個第二子區段的位置與多個所述第一個間隔的位置相對應,所述多個第一子區段的位置與多個所述第二間隔的位置相對應;以及多個連接段,所述多個連接段位于所述第一區段和第二區段之間,用于連接每一個第一子區段和與所述第一子區段相鄰的兩個第二子區段,每一個第一子區段和與所述第一子區段連接的兩個連接段構成一個梯形結構,每一個第二子區段和與所述第二子區段連接的兩個連接段構成一個梯形結構;
所述阻擋墻還包括多個蓋帽結構,所述多個蓋帽結構位于所述多個凹槽結構兩側的阻擋墻頂部,所述多個凹槽結構的深度大于或等于所述阻擋墻高度的四分之一,所述蓋帽結構的高度小于或等于所述凹槽結構的最小深度。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述多個凹槽結構具有不同的深度,所述多個蓋帽結構具有不同的高度。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽結構的深度與所述凹槽結構距離所述顯示區的距離正相關,距離所述顯示區最近的凹槽結構的深度小于距離所述顯示區最遠的凹槽結構的深度。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述多個第一子區段的長度相等,所述多個第一間隔的長度相等,所述多個第二子區段的長度相等,所述多個第二間隔的長度相等。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述多個第一子區段的長度大于所述多個第二間隔的長度,所述多個第二子區段的長度大于所述第一間隔的長度。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一區段和所述第二區段之間的距離大于或等于所述第一區段和第二區段的寬度之和,小于或等于所述第一區段和第二區段的寬度之和的兩倍。
7.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:提供基板,在所述基板上形成顯示區;形成環繞所述顯示區的阻擋墻;在所述阻擋墻頂部形成第一絕緣層;將所述第一絕緣層圖形化,形成多個平行設置的蓋帽結構,所述多個蓋帽結構的延伸方向平行于所述阻擋墻的延伸方向;以所述蓋帽結構為掩膜版,對所述阻擋墻進行刻蝕,形成多個平行設置的凹槽結構;
其中,阻擋墻包括第一區段和第二區段,所述第一區段包括多個第一子區段,所述多個第一子區段沿所述第一區段的長度方向延伸,相鄰的兩個第一子區段之間具有第一間隔,所述第二區段與所述第一區段平行設置,所述第二區段包括多個第二子區段,相鄰的兩個第二子區段之間具有第二間隔,所述多個第二子區段的位置與多個所述第一個間隔的位置相對應,所述多個第一子區段的位置與多個所述第二間隔的位置相對應;以及多個連接段,所述多個連接段位于所述第一區段和第二區段之間,用于連接每一個第一子區段和與所述第一子區段相鄰的兩個第二子區段,每一個第一子區段和與所述第一子區段連接的兩個連接段構成一個梯形結構,每一個第二子區段和與所述第二子區段連接的兩個連接段構成一個梯形結構;
所述阻擋墻還包括多個蓋帽結構,所述多個蓋帽結構位于所述多個凹槽結構兩側的阻擋墻頂部,所述多個凹槽結構的深度大于或等于所述阻擋墻高度的四分之一,所述蓋帽結構的高度小于或等于所述凹槽結構的最小深度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





