[發明專利]基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法

在審

• 申請號: 201910446280.1
• 申請日: 2019-05-27
• 公開（公告）號: CN110203878A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 朱利;蘇靖婷;李可欣;陸輝;張若虎;崔一平
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: B81B7/04
• 分類號: B81B7/04;B81C1/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：

1)將表面具有親疏水陣列的聚二甲基硅氧烷基片即PDMS基片、具有微通道的聚二甲基硅氧烷蓋片即PDMS蓋片二者鍵合，制備得到集成親疏水陣列的微流控器件；

2)向集成親疏水陣列的微流控器件中注入納米顆粒溶液，納米顆粒由于自身的親水性或疏水性而選擇性地吸附于親水區域或疏水區域；

3)洗去微流控器件中未吸附的納米顆粒，由微流控器件中親水區域尺寸或疏水區域尺寸的限制形成單層納米顆粒二聚體或多聚體。

2.如權利要求1所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：步驟1)所述的具有親疏水陣列的PDMS基片的制備方法為電子束光刻技術，具體如下：

步驟①、在PDMS基片表面旋涂一層光刻膠并進行前烘；

步驟②、采用電子束光刻，對光刻膠涂層進行曝光，之后置于顯影液中完成顯影，得到具有陣列化圖案的PDMS基片；

步驟③、對具有陣列化圖案的PDMS基片的表面進行氧等離子處理，并修飾親水處理劑，使表面保持長期親水性，之后將光刻膠洗去，暴露出呈強疏水性的PDMS，從而形成親疏水陣列，得到具有親疏水陣列的PDMS基片。

3.如權利要求1所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的親疏水陣列單元的尺寸、圖案根據納米顆粒尺寸以及多聚體制備需要進行調節，陣列單元尺寸精度達百納米。

4.如權利要求1所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的納米顆粒為金屬納米顆粒或非金屬納米顆粒，其尺寸為50nm～1000nm。

5.如權利要求4所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的金屬納米顆粒為金納米顆粒、銀納米顆粒、銅納米顆粒、鈀納米顆粒、鋁納米顆粒、鐵納米顆粒、鎳納米顆粒、鈦納米顆粒、鈷納米顆粒、鋅納米顆粒或者鉑納米顆粒。

6.如權利要求4所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的非金屬納米顆粒為碳納米顆粒、聚苯乙烯納米顆粒、氧化鈦納米顆粒、氧化硅納米顆粒、氧化鋅納米顆粒、氧化錳納米顆粒、氧化鉻納米顆粒、氧化鐵納米顆粒、氧化銅納米顆粒、硫化鎘納米顆粒、碲化鎘納米顆粒、硫化鋅納米顆粒、砷化鎵納米顆粒或磷化鎵納米顆粒。

7.如權利要求2所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的光刻膠包括各種對電子束響應的正性和負性光刻膠，顯影液為與所述光刻膠相對應的顯影液。

8.如權利要求2所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的親水處理劑包括聚乙二醇PEG、聚乙烯吡咯烷酮PVP或者甲基丙烯酸羥乙酯HEMA。

9.如權利要求1所述的一種基于親疏水陣列的單層納米顆粒二聚體及多聚體制備方法，其特征在于：所述的單層納米顆粒二聚體或多聚體為在親水區域吸附親水納米顆粒形成的親水顆粒二聚體或多聚體，或者在疏水區域吸附疏水納米顆粒形成的疏水顆粒二聚體或多聚體。