[發明專利]K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法

在審

• 申請號: 201910442317.3
• 申請日: 2019-05-25
• 公開（公告）號: CN110212280A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 陸宇;任思;張先榮;朱勇;張睿;魏明;劉杰
• 申請（專利權）人: 西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H01P1/203
• 代理公司: 成飛(集團)公司專利中心 51121
• 代理人: 郭純武

1.一種K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，具有如下技術特征：將短截線結構中的對稱加載枝節1和加載枝節3進行高阻抗的并聯分解，分解成上下兩個完全對稱的高阻抗加載枝節，長度在截止頻率處1/8介質波長的基礎上進行延長，并進行多次彎折，形成帶外不同頻率的傳輸零點；將直通微帶傳輸線特征阻抗降低至50Ω以下，再對其長度進行調節；然后，將短截線結構中的加載枝節2的特征阻抗提高，并將其分解為兩個上下完全對稱的并聯枝節，對該兩個完全對稱的高阻抗加載枝節，長度在截止頻率處1/8介質波長的基礎上進行延長，進行多次彎折，減小縱向面積，形成K波段芯片濾波器。

2.如權利要求1所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：K波段芯片濾波器采用6個并聯的高阻抗開路微帶線和2段低阻抗的直通微帶線組成K波段低損耗三階濾波器，從射頻輸入端口往射頻輸出端口看，依次為開路微帶1和開路微帶2、直通微帶1、開路微帶3和開路微帶4、直通微帶2、開路微帶5和開路微帶6。

3.如權利要求2所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：K波段芯片濾波器的濾波電路為完全對稱結構：即開路微帶1與開路微帶2、開路微帶3與開路微帶4、開路微帶5與開路微帶6上下對稱；開路微帶1、開路微帶2、直通微帶1與開路微帶5、開路微帶6、直通微帶2左右對稱。

4.如權利要求1所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：在1/8介質波長的基礎上，調節開路微帶1、開路微帶2與開路微帶5、開路微帶6的長度。

5.如權利要求4所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：調節直通微帶1、直通微帶2和開路微帶3、開路微帶4，實現共同調節通帶的頻率范圍和輸入輸出駐波。

6.如權利要求1所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：將關于對稱在直通微帶1的上開路微帶1、開路微帶2枝節分別進行6次90°彎折，形對稱垂直延伸直通微帶1兩端的蛇形彎弓狀布局，以減小整個芯片的面積。

7.如權利要求6所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：6次彎折枝節之間的蛇形彎弓狀微帶間距至少大于兩倍本身微帶線的寬度，以避免該枝節可能存在的自耦。

8.如權利要求7所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：開路微帶1、開路微帶2枝節彎折后的蛇型彎弓狀底部距離直通微帶1的最近垂直距離大于兩倍直通微帶1的寬度，以減小直通路徑上信號可能存在的耦合。

9.如權利要求1所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：直通微帶2兩端的開路微帶5與開路微帶6的彎折與開路微帶1和開路微帶2相同，彎曲延伸方向相向對稱。

10.如權利要求1所述的K頻段砷化鎵芯片濾波器制備方法，其特征在于：開路微帶3與開路微帶4對稱，同樣采用6次90°彎折形設計，彎折枝節間的最小間距超過2倍枝節微帶寬度，開路微帶3、開路微帶4與開路枝節1、開路枝節2、開路枝節5、開路枝節6之間的最近距離超過2倍微帶的寬度，與直通微帶1、直通微帶2近垂直距離大于2倍直通微帶1、直通微帶2的寬度，減小信號可能存在的相互耦合。