[發(fā)明專利]埋入式電容材料、其制備方法及印制線路板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910434319.8 | 申請日: | 2019-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN110310829A | 公開(公告)日: | 2019-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅遂斌;于淑會;孫蓉 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳先進技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | H01G4/06 | 分類號: | H01G4/06;H01G4/00 |
| 代理公司: | 深圳國新南方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44374 | 代理人: | 周純 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 埋入式電容 電介質(zhì)層 導(dǎo)熱性填料 聚合材料 電極層 高介電 制備 電子封裝材料 電容材料 介電損耗 雙面蝕刻 印制線路 原料組成 線路板 導(dǎo)熱率 漏電流 電容 減小 印制 | ||
1.一種埋入式電容材料,其特征在于,所述電容材料包括:
兩個電極層;以及
設(shè)于所述兩個電極層之間的復(fù)合型電介質(zhì)層,所述復(fù)合型電介質(zhì)層的原料組成包括聚合材料、導(dǎo)熱性填料和高介電填料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式電容材料,其特征在于,以復(fù)合型電介質(zhì)層的總重量為100%計,所述復(fù)合型電介質(zhì)層的原料組成包括20%~50%聚合材料、10%~80%導(dǎo)熱性填料和40%~80%高介電填料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式電容材料,其特征在于,所述電極層為銅箔,所述銅箔的厚度為1μm~70μm,所述銅箔的表面粗糙度為0.1μm~10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式電容材料,其特征在于,所述復(fù)合型電介質(zhì)層的厚度為2~30μm;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層的熱導(dǎo)率大于或等于0.4W/m·K。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式電容材料,其特征在于,所述導(dǎo)熱性填料的長徑比為1~10;
或,所述高介電填料的尺寸為20nm~1μm;
或,所述導(dǎo)熱性填料包括高導(dǎo)熱無機填料和/或改性導(dǎo)熱填料,所述高導(dǎo)熱無機填料包括氮化硼、碳化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、或氧化鎂中的一種或多種,所述改性導(dǎo)熱填料為在高導(dǎo)熱無機填料表面沉積導(dǎo)電納米粒子制備形成,所述導(dǎo)電納米粒子為銀、金或石墨烯;
或,所述高介電填料包括陶瓷填料和/或改性陶瓷填料,所述陶瓷填料包括鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鍶鋇、鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛、鈮鎂酸鉛、鈦酸鍶、鈦酸銅鈣、氮化硼或氧化鋁中的一種或多種,所述改性陶瓷填料為在陶瓷填料表面沉積導(dǎo)電納米粒子制備形成,所述導(dǎo)電納米粒子為銀、金或石墨烯;
或,所述聚合材料包括熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂,所述熱塑性樹脂包括聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯二元共聚物、聚偏二氟乙烯三元共聚物、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、聚甲醛樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯醚樹脂、或聚砜樹脂中的一種或多種,所述熱固性樹脂包括環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺、雙馬來酰亞胺氰酸酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、呋喃樹脂、聚丁二烯樹脂、或有機硅樹脂中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的埋入式電容材料,其特征在于,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括分別設(shè)于兩個電極層內(nèi)側(cè)的兩個導(dǎo)熱介質(zhì)層、依次層疊于兩個導(dǎo)熱介質(zhì)層的兩個高介電常數(shù)介質(zhì)層,其中,導(dǎo)熱介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料,高介電常數(shù)介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的高介電填料;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括分別設(shè)于兩個電極層內(nèi)側(cè)的兩個高介電常數(shù)介質(zhì)層、依次層疊于兩個高介電常數(shù)介質(zhì)層的兩個導(dǎo)熱介質(zhì)層,其中,導(dǎo)熱介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料,高介電常數(shù)介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的高介電填料;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括分別設(shè)于兩個電極層內(nèi)側(cè)的兩個導(dǎo)熱介質(zhì)層、設(shè)于兩個導(dǎo)熱介質(zhì)層的高介電常數(shù)介質(zhì)層,其中,導(dǎo)熱介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料,高介電常數(shù)介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的高介電填料;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括分別設(shè)于兩個電極層內(nèi)側(cè)的兩個高介電常數(shù)介質(zhì)層、設(shè)于兩個高介電常數(shù)介質(zhì)層的導(dǎo)熱介質(zhì)層,其中,導(dǎo)熱介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料,高介電常數(shù)介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的高介電填料;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括分別設(shè)于兩個電極層內(nèi)側(cè)的一個導(dǎo)熱介質(zhì)層和一個高介電常數(shù)介質(zhì)層,其中,導(dǎo)熱介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料,高介電常數(shù)介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的高介電填料;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料和高介電填料;
或,所述復(fù)合型電介質(zhì)層包括依次層疊的導(dǎo)熱-高介電介質(zhì)層、聚合物材料層和導(dǎo)熱-高介電常數(shù)介質(zhì)層,其中,所述導(dǎo)熱-高介電常數(shù)介質(zhì)層包括聚合物基質(zhì)以及分散于所述聚合物基質(zhì)的導(dǎo)熱性填料和高介電填料。
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