[發明專利]具有用于促進連通性測試的貫穿堆疊互連的半導體裝置

在審

• 申請號: 201910432906.3
• 申請日: 2019-05-23
• 公開（公告）號: CN110648934A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: C·N·默爾;S·E·史密斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王龍

1.一種用于測試延伸穿過半導體裸片堆疊的貫穿堆疊互連的連通性的方法，所述方法包括：

確定延伸穿過所述堆疊的第一部分的第一貫穿堆疊互連的電阻；及

基于所述所確定的電阻，確定延伸穿過堆疊的第二部分的多個第二貫穿堆疊互連的所述連通性，其中所述堆疊的所述第二部分比所述堆疊的所述第一部分更不易于發生連通性缺陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述堆疊的所述第一部分側向位于所述第二部分的外側處。

3.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述第一貫穿堆疊互連的所述電阻包含確定由所述半導體裸片中的一者的檢測電路輸出的信號的邏輯狀態。

4.根據權利要求3所述的方法，其中確定所述第二堆疊互連的所述連通性包含：

當所述邏輯狀態為第一邏輯狀態時，確定基本上所有所述第二貫穿堆疊互連均電連接；及

當所述邏輯狀態為第二邏輯狀態時，確定所述第二貫穿堆疊互連的至少部分電斷開連接。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在無需使電流通過所述多個第二貫穿堆疊互連中的任何一者的情況下，執行確定所述第二貫穿堆疊互連的所述連通性。

6.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述第一貫穿堆疊互連的所述電阻包含：

在第一半導體裸片上啟用第一信號源，所述第一信號源電連接到所述第一貫穿堆疊互連；

在第二半導體裸片上啟用第一信號源，所述第二信號源電連接到所述第二貫穿堆疊互連；及

基于在所述第一半導體裸片處檢測到的所述第一貫穿堆疊互連的輸出信號確定所述第一貫穿堆疊互連的所述電阻。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一信號源為所述第一半導體裸片的p溝道，其經配置以產生第一驅動強度，其中所述第二信號源為所述第二半導體裸片的n溝道，其經配置以產生第二驅動強度，且其中所述第二驅動強度為所述第一驅動強度的至少兩倍。

8.根據權利要求6所述的方法，其中—

當所述電阻高于閾值量級時，所述輸出信號基本上由所述第一信號源產生的第一信號確定；及

當所述電阻低于所述閾值量級時，所述輸出信號基本上由所述第二信號源產生的第二信號確定。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括確定延伸穿過所述堆疊的第三部分的第三貫穿堆疊互連的所述電阻，其中—

確定所述多個第二貫穿堆疊互連的所述連通性基于所述第一及第三貫穿堆疊互連的所述所確定的電阻；及

所述堆疊的所述第二部分比所述堆疊的所述第三部分更不容易發生連通性缺陷。

10.根據權利要求9所述的方法，其中—

所述堆疊的所述第一部分與所述堆疊的第一邊緣相鄰；

所述堆疊的所述第二部分與所述堆疊的第二邊緣相鄰，與所述第一邊緣相對；及

所述堆疊的所述第三部分側向位于所述第一部分與所述第二部分之間。

11.一種用于測試延伸穿過半導體裸片堆疊的功能貫穿堆疊互連的連通性的方法，所述方法包括：

將具有第一驅動強度的第一信號從所述堆疊中的第一半導體裸片提供到測試貫穿堆疊互連；

將具有第二驅動強度的第二信號從所述堆疊中的第二半導體裸片提供到所述測試貫穿堆疊互連；

接收指示所述測試貫穿堆疊互連的所得電壓的信號，所述所得電壓在所述第一半導體裸片處確定；

當指示所述所得電壓的所述信號具有第一狀態時，確定基本上所有所述功能貫穿堆疊互連均電連接；及

當指示所述所得電壓的所述信號具有第二狀態時，確定除了所述測試貫穿堆疊互連之外的所述功能貫穿堆疊互連中的至少一者電斷開連接。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一信號為p溝道上拉信號，其中所述第二電壓為n溝道下拉信號，且其中所述第一驅動強度大于所述第二驅動強度。