[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201910432864.3
• 申請日: 2019-05-23
• 公開（公告）號: CN111063734A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 李東鎮;金奉秀;金志永;柳虎林
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳亞男;陳曉博

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括第一區域和第二區域；

埋入柵極結構，位于基底的第一區域中的第一凹部上并且包括第一功函數調節層；以及

凹入柵極結構，位于基底的第二區域中的第二凹部上并且包括第二功函數調節層，

其中，埋入柵極結構埋在基底中，

其中，凹入柵極結構的上部不埋在基底中，并且

其中，埋入柵極結構中的第一功函數調節層和凹入柵極結構中的第二功函數調節層包括相同的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，埋入柵極結構中的第一功函數調節層和凹入柵極結構中的第二功函數調節層中的每個包括金屬-金屬氮化物合金。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，

其中，埋入柵極結構中的第一功函數調節層和凹入柵極結構中的第二功函數調節層中的每個包括鑭-氮化鈦合金。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，第一凹部的深度大于第二凹部的深度。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

位線接觸件、界面層、位線和位線覆蓋層，順序地堆疊在基底的第一區域中，

其中，凹入柵極結構的上部包括順序地堆疊的第一柵極層、第二柵極層、第三柵極層和柵極覆蓋層，并且

其中，位線接觸件、界面層、位線和位線覆蓋層中的每個包括與分別包括在第一柵極層、第二柵極層、第三柵極層和柵極覆蓋層中的每個中的材料相同的材料。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，埋入柵極結構還包括位于埋入柵極結構的下部處的下填充層，以及位于第一凹部與下填充層之間的阻擋層。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，埋入柵極結構還包括位于埋入柵極結構的上部處的上填充層，并且

其中，第一功函數調節層位于第一凹部與上填充層之間。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，埋入柵極結構是第一N型晶體管的一部分，并且

凹入柵極結構是第二N型晶體管的一部分。

9.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括第一區域和第二區域；

埋入柵極結構，位于基底的第一區域中的第一凹部上；以及

凹入柵極結構，位于基底的第二區域中的第二凹部上，

其中，埋入柵極結構包括位于第一凹部上的第一柵極絕緣層、位于埋入柵極結構的下部處的下填充層、位于埋入柵極結構的上部處的上填充層以及位于上填充層與第一柵極絕緣層之間的第一功函數調節層，

其中，凹入柵極結構包括位于第二凹部上的第二柵極絕緣層、位于第二柵極絕緣層上的第二功函數調節層以及位于第二功函數調節層上的填充層，并且

其中，第一功函數調節層包括與第二功函數調節層中包括的材料相同的材料。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，

其中，埋入柵極結構還包括位于下填充層與第一柵極絕緣層之間的阻擋層。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，

其中，第一功函數調節層包括位于下填充層與上填充層之間的部分。

12.根據權利要求9所述的半導體裝置，

其中，第二柵極絕緣層、第二功函數調節層和填充層中的每個的一部分埋在基底中。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置，

其中，凹入柵極結構還包括順序地堆疊在填充層上的第一柵極層、第二柵極層、第三柵極層和柵極覆蓋層，并且

其中，第一柵極層、第二柵極層、第三柵極層和柵極覆蓋層不埋在基底中。