[發明專利]一種制備硅/鈣鈦礦疊層太陽能電池的方法在審
| 申請號: | 201910431527.2 | 申請日: | 2019-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN111987227A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 常青;唐澤國 | 申請(專利權)人: | 北京宏泰創新科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L27/28 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京經濟技*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 鈣鈦礦疊層 太陽能電池 方法 | ||
1.一種制備硅/鈣鈦礦疊層太陽能電池的方法,所述方法包括:
制備硅電池;
在所述硅電池上制備鈣鈦礦電池,包括:
在所述硅電池上制備電子傳輸層或空穴傳輸層;
在所述電子傳輸層或所述空穴傳輸層上蒸鍍含鉛鹵化物;
使有機鹵化物蒸氣與所述蒸鍍的含鉛鹵化物進行反應形成鈣鈦礦層。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅電池的硅片為制絨的硅片。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述制絨的硅片具有金字塔狀絨面。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述金字塔絨面的金字塔的高度為0.5-5微米。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述鈣鈦礦層的厚度為200nm-1000nm。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,所述含鉛鹵化物為PbI2、PbBr2、PbCl2、Pb(IxBr1-x)2(x=0-1),或CsxPbIy(x=0-1,y=2-3)。
7.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,所述有機鹵化物包括FAI、FABr、MAI、MABr或FAMAIBr中的一種或多種。
8.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,所述硅電池包括發射極電池、PERC背鈍化電池、HIT電池、PERT電池、IBC電池、MWT電池或Top-con電池。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,所述鈣鈦礦電池為p-i-n或n-i-p結構。
10.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,所述鈣鈦礦電池為MAPbI3、MAPbBr3、FAPbI3、FAPbBr3、MAxFA(1-x)PbIyBr(3-y)(x=0-1,y=0-3)或FAxCs(1-x)PbIyBr(3-y)(x=0-1,y=0-3)。
11.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,所述形成鈣鈦礦層的步驟包括:
加熱有機鹵化物形成有機鹵化物蒸氣;
所形成的有機鹵化物蒸氣吸附在所述含鉛鹵化物上進行反應;和
將制備的電池片進行退火處理形成鈣鈦礦層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





