[發明專利]放射線感測裝置

在審

• 申請號: 201910431245.2
• 申請日: 2019-05-22
• 公開（公告）號: CN111987112A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 王智弘;林信宏;吳智濠
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;侯奇慧

1.一種放射線感測裝置，其特征在于，包括：

一基板；以及

多個半導體元件，設置于該基板上，該多個半導體元件中的至少一個包括：

一第一閘極；

一主動層，設置在該第一閘極上；以及

一第二閘極，設置在該主動層上，其中，在待機狀態中，該第二閘極具有正偏壓。

2.如權利要求1所述的放射線感測裝置，其特征在于，更包括至少一感光元件，設置于該基板上，該至少一感光元件包括一第一半導體層、一本質半導體層以及一第二半導體層，其中該本質半導體層夾置于該第一半導體層與該第二半導體層之間。

3.如權利要求2所述的放射線感測裝置，其特征在于，該多個半導體元件中的該至少一個更包括一源極以及一汲極，該源極與該汲極中的一者與該第一半導體層電性連接，其中該第一半導體層為一P型半導體層，且該第二半導體層為一N型半導體層。

4.如權利要求2所述的放射線感測裝置，其特征在于，該多個半導體元件中的該至少一個更包括一源極以及一汲極，該源極與該汲極中的一者與該第一半導體層電性連接，其中該第一半導體層為一N型半導體層，且該第二半導體層為一P型半導體層。

5.如權利要求1所述的放射線感測裝置，其特征在于，更包括至少一感光元件，設置于該基板上且與該多個半導體元件中的該至少一個電性連接，其中該至少一感光元件包括一電容器結構。

6.如權利要求1所述的放射線感測裝置，其特征在于，更包括至少一感光元件，設置于該基板上，該至少一感光元件與該第二閘極電性連接。

7.如權利要求1所述的放射線感測裝置，其特征在于，更包括至少一感光元件，設置于該基板上，該至少一感光元件不與該第二閘極電性電性連接。

8.如權利要求1所述的放射線感測裝置，其特征在于，該第一閘極于該待機狀態中具有正偏壓。

9.如權利要求1所述的放射線感測裝置，其特征在于，更包括一絕緣層，設置于該主動層上。

10.如權利要求9所述的放射線感測裝置，其特征在于，該絕緣層具有一第一開口與一第二開口，該多個半導體元件中的該至少一個更包括一源極以及一汲極，該源極通過該第一開口與該主動層電性連接，且該汲極通過該第二開口與該主動層電性連接。