[發明專利]一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法及應用

在審

• 申請號: 201910429218.1
• 申請日: 2019-05-22
• 公開（公告）號: CN111983822A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 賴偉恩;張倩;袁浩;曹海兵;方紅云
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學;上海交通大學
• 主分類號: G02F1/00
• 分類號: G02F1/00;C01G55/00;C01G51/04;C01G49/02;C01G45/02;C01G9/02;C01F5/06;C01B13/18;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將氧化物前驅體、配體和反應溶劑混合反應，得到混合物；

將所述混合物抽真空；

緩慢加熱所述混合物至預設溫度，并在預設溫度下保持5min～2h；

將加熱后的混合物降溫至室溫，得到單分散氧化物納米粒子混合溶液；

將所述單分散氧化物納米粒子溶液進行純化，得到所述單分散氧化物納米粒子。

2.根據權利要求1所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述氧化物前驅體是硫酸鐵、乙酸鋅、乙酰丙酮鉑、硫酸鎂、氯化鐵、氯化錳、硝酸鋅、檸檬酸鐵、乙酰丙酮鈷、高錳酸鉀、乙酰丙酮鐵、乙酸錳、右旋糖酐鐵、氯化鎂、葡萄糖酸亞鐵、硫酸亞鐵和氯化亞鐵中的一種或幾種。

3.根據權利要求2所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述配體是油酸、油胺、聚乙二醇、聚苯乙烯、二巰基丁二酸、四辛基溴化銨和十二硫醇中的一種或幾種。

4.根據權利要求3所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述反應溶劑是甲苯、油酸、十八烯、二苯醚、二甲醚、油胺、二辛醚和二芐醚中的一種或幾種。

5.根據權利要求4所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述加熱混合物的方式為在氮氣保護及磁力攪拌作用下，利用加熱套緩慢加熱混合物至預設溫度。

6.根據權利要求5所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述純化步驟包括離心和洗滌。

7.根據權利要求6所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述離心的步驟為將所得溶液移至離心管中加入無水丙酮和氯仿，利用離心機使單分散氧化物納米粒子分離沉淀。

8.根據權利要求7所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法，其特征在于：所述單分散氧化物納米粒子分散于有機溶劑中備用。

9.利用如權利要求1-8所述的一種可提高太赫茲器件性能的單分散氧化物納米粒子的制備方法制備的單分散氧化物納米粒子，其特征在于：所述單分散氧化物納米粒子的形狀呈均一的球形，尺寸為10-50nm。

10.一種如權利要求9所述的單分散氧化物納米粒子的應用，其特征在于：將所述單分散氧化物納米粒子的溶液旋涂于太赫茲調制器上，獲得一種結合有單分散氧化物納米粒子的太赫茲調制器。