[發明專利]一種半導體器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201910421845.0 | 申請日： | 2019-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN110112067B | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 王永慶;陳赫;董金文;華子群;馬瑞 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 李港 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體器件的制備方法，包括：
提供半導體結構，所述半導體結構包括核心器件區和形成于所述核心器件區之上的金屬焊墊；
在所述半導體結構的表面覆蓋第一鈍化層、第二鈍化層和感光保護層；
使用第一掩膜去除至少部分感光保護層、第一鈍化層和第二鈍化層，形成連通至所述金屬焊墊的開口，所述第一掩膜具有交替布置的透光區和遮光區，形成的所述開口為臺階狀開口，所述臺階的過渡面為弧面。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括使用第二掩膜去除所述感光保護層的切割溝道區的部分厚度，所述第二掩膜具有交替布置的透光區和遮光區，所述第二掩膜中透光區和遮光區的寬度占比為1:0.7-1:0.8。
3.如權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜為同一張掩膜，通過一次工藝使用所述掩膜去除至少部分感光保護層、第一鈍化層和第二鈍化層以及所述感光保護層的至少部分切割溝道區。
4.如權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜為不同的掩膜，通過兩次工藝使用所述第一掩膜去除至少部分感光保護層、第一鈍化層和第二鈍化層以及使用所述第二掩膜去除所述感光保護層的至少部分切割溝道區。
5.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜中透光區和遮光區的寬度占比為1:1.4-1:1.6。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述感光保護層的材料為聚酰亞胺。
7.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括使用導電材料填充所述開口形成接觸線。
8.一種半導體器件，包括：
半導體結構，所述半導體結構包括核心器件區和形成于所述核心器件區之上的金屬焊墊；
覆蓋在所述半導體結構表面的第一鈍化層、第二鈍化層和感光保護層；
穿過所述感光保護層、第一鈍化層和第二鈍化層連通至所述金屬焊墊的開口，所述開口為臺階狀開口，所述臺階的過渡面為弧面。
9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述感光保護層的材料為聚酰亞胺。
10.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，還包括使用導電材料填充所述開口形成的接觸線。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
