[發明專利]太陽能電池在審
| 申請號: | 201910421830.4 | 申請日: | 2019-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN110534649A | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 楠本將平 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 |
| 代理公司: | 11247 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 王磊;劉靜<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 太陽能電池 光吸收層 電子傳輸材料 鈣鈦礦化合物 能級 電子傳輸層 導帶 底端 鹵素陰離子 轉換效率 鈣鈦礦 透光性 陽離子 錫系 | ||
本公開提供與以往的錫系鈣鈦礦太陽能電池相比具有更高的轉換效率的太陽能電池。本公開的太陽能電池具備第1電極、第2電極、位于所述第1電極與所述第2電極之間的光吸收層、以及位于所述第1電極與所述光吸收層之間的電子傳輸層。選自第1電極和第2電極之中的至少一個電極具有透光性。光吸收層含有由化學式ASnX3(其中,A是1價的陽離子,且X是鹵素陰離子)表示的鈣鈦礦化合物。電子傳輸層含有含Ti和Zn的電子傳輸材料。電子傳輸材料的導帶底端能級與所述鈣鈦礦化合物的導帶底端能級之間的差小于0.42eV。
技術領域
本公開涉及太陽能電池。
背景技術
近年來,一直進行著鈣鈦礦太陽能電池的研究開發。鈣鈦礦太陽能電池中,作為光吸收材料,使用由ABX3(其中,A是一價陽離子,B是二價陽離子,X是鹵素陰離子)表示的鈣鈦礦化合物。
非專利文獻1中公開了作為鈣鈦礦太陽能電池的光吸收材料,使用由化學式CsSnI3表示的鈣鈦礦化合物。另外,非專利文獻1公開了作為電子傳輸材料和空穴傳輸材料,分別使用TiO2和被稱為Spiro-OMETAD的有機半導體。
非專利文獻2中公開了作為用于鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸材料,使用TiO2-ZnO系的三元氧化物。
在先技術文獻
非專利文獻1:Mulmudi Hemant Kumar,另外12人,“Lead-free halideperovskite solar cells with high photocurrents realized through vacancymodulation”,Advanced Materials,(英國),2014年11月,第26卷,第41號,p.7122-7127
非專利文獻2:Xiong Yin,另外4人,“Ternary Oxides in the TiO2-ZnO Systemas Efficient Electron-Transport Layers for Perovskite Solar Cells withEfficiency over 15%”,Applied Materials and Interfaces,2016年10月,8(43),p.29580-29587
發明內容
發明要解決的課題
本公開的目的是提供一種轉換效率得到進一步提高的錫系鈣鈦礦太陽能電池。
用于解決課題的手段
本公開涉及的太陽能電池,具備第1電極、第2電極、位于所述第1電極與所述第2電極之間的光吸收層、以及位于所述第1電極與所述光吸收層之間的電子傳輸層,其中,
選自所述第1電極和所述第2電極之中的至少一個電極具有透光性,
所述光吸收層含有由化學式ASnX3(其中,A是1價的陽離子,且X是鹵素陰離子)表示的鈣鈦礦化合物,
所述電子傳輸層含有含Ti和Zn的電子傳輸材料,并且
所述電子傳輸材料的導帶底端能級與所述鈣鈦礦化合物的導帶底端能級之間的差小于0.42eV。
發明的效果
本公開提供一種轉換效率得到進一步提高的錫系鈣鈦礦太陽能電池。
附圖說明
圖1表示本公開的實施方式涉及的太陽能電池的截面圖。
圖2表示本公開的實施方式的變形例涉及的太陽能電池的截面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





