[發明專利]薄膜晶體管器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201910414809.1
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110190132A
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 李子然
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管器件，其特征在于，包括：

基板；

有源層，設于所述基板一側的表面；

柵極絕緣層，設于所述有源層遠離所述基板一側的表面；

導電層，設于所述柵極絕緣層遠離所述有源層一側的表面；以及

柵極層，設于所述導電層遠離所述柵極絕緣層一側的表面。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，

所述導電層的材質包括氧化物半導體，所述氧化物半導體包括銦鎵鋅；

所述導體層的厚度為100A～400A。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，

所述導電層的尺寸與所述柵極絕緣層的尺寸一致，且所述導電層與所述柵極絕緣層相對設置；

所述柵極層的尺寸小于所述導電層的尺寸，且所述柵極層與所述導電層相對設置。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，還包括：

遮光層，設于所述基板一側的表面；以及

緩沖層，設于所述遮光層遠離所述基板一側的表面；

其中，所述有源層設于所述緩沖層遠離所述基板一側的表面，且與所述遮光層相對設置。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，還包括：

介電層，設于所述柵極層遠離所述導電層一側的表面；

介電層過孔，穿過所述介電層，且與所述有源層相對設置；

源漏極層，設于所述介電層遠離所述緩沖層一側的表面，且穿過所述介電層過孔連接至所述有源層；

保護層，設于所述源漏極層及所述介電層遠離所述緩沖層一側的表面；

保護層過孔，穿過所述保護層，且與所述源漏極層相對設置；以及

像素電極層，設于所述保護層過孔內側壁，且延伸至所述保護層遠離所述源漏極層一側的表面，所述像素電極層連接至所述源漏極層。

6.一種薄膜晶體管器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

遮光層制備步驟，在一基板上制備出一遮光層；

緩沖層制備步驟，在所述遮光層及所述基板的上表面制備出一緩沖層；

有源層制備步驟，在所述緩沖層的上表面制備出一有源層；以及

柵極層制備步驟，在所述有源層的上表面依次制備出柵極絕緣層、導電層及柵極層。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管器件的制備方法，其特征在于，

所述柵極層制備步驟包括以下步驟：

無機層形成步驟，在所述有源層及所述緩沖層的上表面沉積無機材料，形成一無機層；

半導體層形成步驟，在所述無機層的上表面沉積氧化物半導體材料，形成一半導體層；

金屬層形成步驟，在所述半導體層的上表面沉積金屬材料，形成一金屬層；以及

刻蝕步驟，刻蝕出柵極層、導電層及柵極絕緣層。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管器件的制備方法，其特征在于，

所述刻蝕步驟包括以下步驟：

光刻膠涂布步驟，在所述第一金屬層的上表面涂布一光刻膠；

第一刻蝕步驟，利用濕法刻蝕工藝將所述金屬層刻蝕成柵極層；

第二刻蝕步驟，利用干法刻蝕工藝將所述半導體層刻蝕成導電層，將所述無機層刻蝕成柵極絕緣層，使得所述導電層的尺寸與所述柵極絕緣層的尺寸一致；

光刻膠剝離步驟，剝離光刻膠；以及

導體化步驟，導體化處理未被所述柵極絕緣層覆蓋的有源層。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管器件的制備方法，其特征在于，

在所述第二刻蝕步驟中，刻蝕氣體包括三氯化硼。

10.如權利要求8所述的薄膜晶體管器件的制備方法，其特征在于，

在所述導體化步驟中，

離子轟擊處理或離子注入處理所述基板；

其中，所述離子轟擊處理的離子包括氬氣離子或氦氣離子；所述離子注入處理的離子包括鋁離子或鈣離子。