[發明專利]清潔液循環利用的清洗系統及方法

在審

• 申請號: 201910409822.8
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN111940409A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 胡自立
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B08B3/14
• 分類號: B08B3/14;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例涉及清洗技術領域，公開了一種清潔液循環利用的清洗系統及方法，所述清潔液循環利用的清洗系統包括：用于放置清洗物的清潔腔室，與所述清潔腔室連通的廢液循環處理裝置，分別與所述清潔腔室及所述廢液循環處理裝置連通的清潔液配置裝置；所述廢液循環處理裝置用于回收所述清潔腔室中流出的廢液、并將所述廢液加工成滿足預設要求的待配置清潔液；所述清潔液配置裝置用于將所述待配置清潔液配置成待使用清潔液；所述清潔腔室用于使用所述待使用清潔液以清洗待清洗物。本發明提供的清潔液循環利用的清洗系統及方法能夠循環利用清潔液，降低清洗成本。

技術領域

本發明實施例涉及清洗技術領域，特別涉及一種清潔液循環利用的清洗系統及方法。

背景技術

在半導體晶片制造過程中，半導體晶片表面會附著各種有機化合物、金屬雜質和微粒等，而半導體晶片表面的清潔度是影響半導體晶片可靠性的重要因素之一，如果不對其清洗會大大降低半導體晶片的性能和合格率，所以在半導體晶片制造過程中，有20％的步驟為對半導體晶片的清洗，去除依附于半導體晶片表面上的有機化合物、金屬雜質和微粒等污染物，提高半導體器件的性能和合格率。

現有技術中通常利用單晶片清洗臺，并使用SPM清潔溶液對半導體晶片執行濕法刻蝕，SPM清潔溶液包括硫酸和雙氧水，其能夠去除半導體晶片上的光刻膠殘留物。

發明內容

本發明實施方式的目的在于提供一種清潔液循環利用的清洗系統及方法，其能夠循環利用清潔液，降低清洗成本。

為解決上述技術問題，本發明的實施方式提供了一種清潔液循環利用的清洗系統，包括：

用于放置清洗物的清潔腔室，與所述清潔腔室連通的廢液循環處理裝置，分別與所述清潔腔室及所述廢液循環處理裝置連通的清潔液配置裝置；所述廢液循環處理裝置用于回收所述清潔腔室中流出的廢液、并將所述廢液加工成滿足預設要求的待配置清潔液；所述清潔液配置裝置用于將所述待配置清潔液配置成待使用清潔液；所述清潔腔室用于使用所述待使用清潔液以清洗待清洗物。

本發明的實施方式還提供了一種清潔液循環利用的清洗方法，包括：獲取清洗過待清洗物的廢液；將所述廢液加工成滿足預設要求的待配置清潔液；將所述待配置清潔液配置成待使用清潔液；利用所述待使用清潔液清洗所述待清洗物。

本發明的實施方式相對于現有技術而言，通過設置與清潔腔室連通的廢液循環處理裝置，使得清潔腔室中流出的廢液不會直接排出，而是會流入廢液循環處理裝置中，并在廢液循環處理裝置的加工下變成滿足預設要求的待配置清潔液；通過設置清潔液配置裝置，從而能夠將待配置清潔液與清潔液配置裝置中的溶液配置以形成待使用清潔液，又由于清潔液配置裝置與清潔腔室連通，因此，在清潔液配置裝置中配置好的待使用清潔液能夠流入清潔腔室中，以使清潔腔室使用待使用清潔液清洗待清洗物，從而實現了清潔液的循環利用，降低了清洗成本，避免了“清洗待清洗物的廢液直接排出，使得待清洗物的整個清洗過程需要消耗大量的清潔液，從而導致清洗成本較高”的情況的發生。

另外，還包括中央控制裝置，所述中央控制裝置分別與所述清潔腔室、所述廢液循環處理裝置、所述清潔液配置裝置通信連接，用于控制所述清潔腔室、所述廢液循環處理裝置以及所述清潔液配置裝置。通過此種方式，使得清潔液循環利用的清洗系統能夠在中央控制裝置的控制下自動完成各個裝置的操作，從而使得清潔液循環利用的清洗系統更加智能化、自動化。

另外，所述廢液循環處理裝置包括依次連通的廢液收集單元、水分去除單元、第一雜質過濾單元、溫控單元以及待配置清潔液收集單元，所述廢液收集單元用于收集所述清潔腔室中流出的廢液，所述水分去除單元用于去除所述廢液中的水分，所述第一雜質過濾單元用于過濾去除水分后的廢液中的雜質，所述溫控單元用于將去除雜質后的廢液加熱至第一預設溫度，所述待配置清潔液收集單元用于收集所述待配置清潔液。