[發(fā)明專利]徑向等離子體射流脈沖真空電弧蒸發(fā)源及薄膜沉積裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910408887.0 | 申請日: | 2019-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN110284109B | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳學(xué)康 | 申請(專利權(quán))人: | 蘭州空間技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人: | 李微微;仇蕾安 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 徑向 等離子體 射流 脈沖 真空 電弧 蒸發(fā) 薄膜 沉積 裝置 | ||
1.一種形成徑向等離子體射流的固態(tài)邊界約束的方法,其特征在于:
a)真空沉積室中設(shè)置兩個對置的電弧放電電極;其中對置電極中的陰極采用鍍膜材料制作,外部電源引燃和驅(qū)動下在兩電極的間隙中形成脈沖真空電弧放電;
b)利用上述真空電弧放電使陰極表面材料汽化,在兩電極間隙中生成瞬間膨脹并具有連續(xù)流體性質(zhì)的高密度等離子體;
c)利用固態(tài)邊界約束,即電極端面對等離子體膨脹的阻擋作用和連續(xù)流體中壓強(qiáng)各向同性傳遞的性質(zhì),將膨脹的高密度等離子體轉(zhuǎn)化為360°均勻分布的徑向等離子體射流用于薄膜沉積;
保證形成密度大于的具有連續(xù)流體性質(zhì)的等離子體的條件為:對置電極的端面為圓形面,電極端面直徑至少為2倍的電極間距;真空電弧脈沖峰值功率 1000kW、電弧能量50J、電弧電流10 kA;
利用工件臺底座公轉(zhuǎn)、工件架自轉(zhuǎn)和脈沖電弧蒸發(fā)源直線往復(fù)多維運動的組合來實現(xiàn)全部工件表面均勻的薄膜沉積;
工件臺包括圓盤狀旋轉(zhuǎn)底座和一個以上的工件架,所述工件臺底座可繞垂直于圓盤的中心軸轉(zhuǎn)動,即公轉(zhuǎn);工件架布置在以該中心軸為軸線的圓周上,并安裝在工件臺底座的上表面,在隨工件臺公轉(zhuǎn)的同時可進(jìn)行自轉(zhuǎn);脈沖電弧蒸發(fā)源的對置電極與工件臺底座的轉(zhuǎn)動軸同軸布置,對置電極組件做勻速往復(fù)運動。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





