[發明專利]一種碳化硅HID燈高頻驅動電路

在審

• 申請號: 201910408867.3
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110177418A
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 潘玉灼;黃乙津;馮榮奔;黃小陽;車佳洋;肖倩;王丞昊
• 申請（專利權）人: 泉州師范學院
• 主分類號: H05B41/288
• 分類號: H05B41/288
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：其包括EMI濾波整流電路、功率因數校正電路、半橋逆變電路、半橋驅動電路和點火電路；交流市電接入EMI濾波整流電路，EMI濾波整流電路對交流市電進行濾波整流后輸出至功率因數校正電路進行功率因數補償，功率因數校正電路輸出直流電壓為點火電路提供電源，半橋逆變電路包括一振蕩器，該振蕩器用于生成并提供兩路脈沖信號，半橋驅動電路包括兩路驅動電路和兩個碳化硅MOS管，兩路脈沖信號對應接入兩路驅動電路，每路驅動電路驅動一個碳化硅MOS管的導通關斷，兩個碳化硅MOS管構成半橋電路，兩個碳化硅MOS管的交替導通和關斷進而驅動點火電路，點火電路在碳化硅HID燈點亮時提供高壓脈沖并在碳化硅HID燈點亮后轉為提供穩定的低壓供電電壓。

2.根據權利要求1所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述EMI濾波整流電路包括共模電感，交流市電的一端通過一熔斷器接入共模電感一線圈的一端，交流市電的另一端連接共模電感另一線圈的一端，交流市電兩端通過壓敏電阻RV連接，共模電感一線圈的一端和共模電感的另一線圈的一端之間串接有電容C11,共模電感一線圈的另一端和另一線圈的另一端作為EMI濾波整流電路的兩個輸出端，兩個輸出端之間并聯有電阻R11和電容C21，電容C31的一端連接一個輸出端，電容C41的一端連接另一個輸出端，電容C31和電容C41的另一端接地。

3.根據權利要求2所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述電容C11的取值為0.1μF，電容C21取值為0.33μF，電容C31和C41的取值均為4700Pf，電阻R11取值為1MΩ。

4.根據權利要求1所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述功率因數校正電路采用MC33262作為控制芯片的APFC功率因數校正電路，對整理濾波后的輸入電壓進行去耦并升壓至400V直流電壓。

5.根據權利要求1所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述振蕩器為SG3525振蕩器，振蕩器的RT引腳通過振蕩電阻R_T接地，振蕩器的CT引腳通過放電電阻R_D連接振蕩器的DSIC引腳，振蕩器的CT引腳通過振蕩電容C_T接地，放電電阻R_D為振蕩電容C_T提供了放電通道；通過改變放電電阻R_D的阻值改變振蕩電容C_T的放電時間并調節死區時間。

6.根據權利要求5所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述振蕩電容的C_T取值為3300pF，放電電阻R_D取值為2kΩ，振蕩電阻R_T取值1k～3.5kΩ，輸出的振蕩頻率f_o的取值范圍為45.228～35.862KHz。

7.根據權利要求1所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述半橋驅動電路的每路驅動電路包括光耦隔離電路、脈沖放大電路、電源電路和驅動電阻，電源電路分別為光耦隔離電路和脈沖放大電路提供工作電源，脈沖信號依次通過光耦隔離電路、脈沖放大電路和驅動電阻連接碳化硅MOS管的柵極，光耦隔離電路對脈沖信號進行去耦，脈沖放大電路對去耦后的脈沖信號進行放大處理，放大后的脈沖信號通過驅動電阻驅動對應的碳化硅MOS管的柵極工作。

8.根據權利要求7所述的一種碳化硅HID燈高頻驅動電路，其特征在于：所述兩個碳化硅MOS管構成半橋電路的具體為：直流電壓的正極接入其中一個碳化硅MOS管Q13的漏極，碳化硅MOS管Q13的源極連接另一個碳化硅MOS管Q23的漏極，碳化硅MOS管Q23的源極接地。