[發明專利]頂浮柵范德華異質結器件及其制備方法、光電存儲器件

在審

• 申請號: 201910408844.2
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110323223A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 何軍;黃文浩;尹蕾
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239;G11C11/42;B82Y40/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王慶龍;李相雨

1.頂浮柵范德華異質結器件，其特征在于，包括依次堆疊在二硫化鉬底電極器件上的六方氮化硼納米片和石墨烯納米片，堆疊后的所述二硫化鉬底電極器件、所述六方氮化硼納米片和所述石墨烯納米片在垂直方向上有完全重疊的區域。

2.根據權利要求1所述的頂浮柵范德華異質結器件，其特征在于，所述二硫化鉬底電極器件包括多層二硫化鉬納米片，以及襯底和金屬電極，多層所述二硫化鉬納米片置于所述襯底的一側，所述金屬電極蒸鍍在所述二硫化鉬納米片上；所述二硫化鉬納米片、所述六方氮化硼納米片和所述石墨烯納米片在垂直方向上有完全重疊的區域。

3.根據權利要求2所述的頂浮柵范德華異質結器件，其特征在于，所述金屬電極的材質為金、銀、鈦、鉻、鈀和鉑中的一種或多種。

4.根據權利要求3所述的頂浮柵范德華異質結器件，其特征在于，所述金屬電極為鉻金復合層，下層為鉻，厚度為5～15nm，上層為金，厚度為10～40nm。

5.根據權利要求2所述的頂浮柵范德華異質結器件，其特征在于，所述襯底為Si/SiO₂襯底，所述襯底厚度為200～400nm，所述六方氮化硼納米片厚度為5～20nm，所述石墨烯納米片包括多片，且多片所述石墨烯納米片置于200～400nm厚的支撐薄膜上。

6.頂浮柵范德華異質結器件制作方法，其特征在于，包括：

將六方氮化硼納米片和石墨烯納米片放在支撐薄膜上，并在光學顯微鏡下，將所述六方氮化硼納米片和所述石墨烯納米片依次置于蒸鍍好金屬電極的二硫化鉬底電極器件上，所述二硫化鉬底電極器件包括多層二硫化鉬納米片；溶解去除所述支撐薄膜，得到石墨烯/六方氮化硼/二硫化鉬異質結器件；所述二硫化鉬納米片、所述六方氮化硼納米片和所述石墨烯納米片在垂直方向上有完全重疊的區域。

7.根據權利要求6所述的頂浮柵范德華異質結器件制作方法，其特征在于，將六方氮化硼納米片和石墨烯納米片放在支撐薄膜上前，還包括：

通過膠帶機械剝離塊體材料的方法制得所述六方氮化硼納米片和所述二硫化鉬納米片。

8.根據權利要求6所述的頂浮柵范德華異質結器件制作方法，其特征在于，所述金屬電極通過電子束曝光和金屬沉積方法制得，所述金屬電極為鉻金復合層，下層為鉻，厚度為5～15nm，上層為金，厚度為10～40nm。

9.一種非易失性多比特光電存儲器件，其特征在于，包括如權利要求1至5任一所述的頂浮柵范德華異質結器件，其中，導電溝道為二硫化鉬橫向溝道，襯底為背柵極，所述襯底為Si/SiO₂襯底。