[發(fā)明專利]指紋傳感裝置及電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910408636.2 | 申請日: | 2019-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN110164862A | 公開(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙帆;李卓;陳飛祥 | 申請(專利權(quán))人: | 北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;張靖琳 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 指紋傳感裝置 開關(guān)管 靜電防護(hù)元件 感應(yīng)信號 寄生二極管 靜電防護(hù)能力 導(dǎo)通路徑 電子設(shè)備 檢測信號 靜電電荷 電路 占用 釋放 | ||
1.一種指紋傳感裝置,其特征在于,包括:
第一單元,所述第一單元包括多個(gè)開關(guān)管;
位于所述第一單元上的多個(gè)第二單元,所述第二單元用于提供感應(yīng)信號;
多個(gè)第三單元,用于根據(jù)所述感應(yīng)信號提供檢測信號;以及
多個(gè)第四單元,多個(gè)所述第四單元分別連接至相應(yīng)的所述第二單元和所述第三單元之間,用于提供靜電電荷的釋放路徑和感應(yīng)信號的導(dǎo)通路徑,
其中,每個(gè)第四單元包括至少一個(gè)靜電防護(hù)元件,所述多個(gè)開關(guān)管中的至少一個(gè)開關(guān)管的寄生二極管提供所述靜電防護(hù)元件中的至少一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋傳感裝置,其特征在于,所述多個(gè)開關(guān)管包括:
第一開關(guān)管,所述第一開關(guān)管的第一端連接至所述第二單元,第二端連接至所述第三單元的輸出端;以及
第二開關(guān)管,所述第二開關(guān)管的第一端連接至所述第二單元,第二端連接至所述參考地,
其中,所述第二開關(guān)管為NMOS晶體管,所述靜電防護(hù)元件包括所述第二開關(guān)管的寄生二極管,
當(dāng)所述第二開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),所述第二開關(guān)管的寄生二極管提供帶正電的所述靜電電荷和帶負(fù)電的所述靜電電荷與所述參考地之間的所述靜電釋放路徑的至少一部分,
當(dāng)所述第二開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),所述第二開關(guān)管的寄生二極管提供帶負(fù)電的所述靜電電荷與所述參考地之間的所述靜電釋放路徑的至少一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的指紋傳感裝置,其特征在于,
所述第一開關(guān)管為PMOS晶體管,所述靜電防護(hù)元件包括所述第一開關(guān)管的寄生二極管和所述第二開關(guān)管的寄生二極管,
所述第一開關(guān)管的體區(qū)連接至所述參考電源,所述第一開關(guān)管的寄生二極管提供帶正電的所述靜電電荷與所述參考地之間的所述靜電釋放路徑的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的指紋傳感裝置,其特征在于,所述多個(gè)開關(guān)管包括:
第一開關(guān)管,所述第一開關(guān)管的第一端連接至所述第二單元,第二端連接至所述第三單元的輸出端;
第二開關(guān)管,所述第二開關(guān)管的第一端連接至所述第二單元,第二端連接至所述第三單元的輸入端;以及
第三開關(guān)管,所述第三開關(guān)管的第一端連接至參考電源,第二端連接至所述第二單元;
其中,所述第二開關(guān)管為NMOS晶體管,所述第三開關(guān)管為PMOS晶體管,所述靜電防護(hù)元件包括所述第二開關(guān)管的寄生二極管和所述第三開關(guān)管的寄生二極管,
當(dāng)所述第二開關(guān)管和/或所述第三開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),所述第二開關(guān)管的寄生二極管和/或所述第三開關(guān)管的寄生二極管提供帶正電的所述靜電電荷帶負(fù)電的所述靜電電荷與所述參考地之間的所述靜電釋放路徑的至少一部分,
當(dāng)所述第二開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),所述第二開關(guān)管的寄生二極管提供帶負(fù)電的所述靜電電荷與所述參考地之間的所述靜電釋放路徑的至少一部分,
當(dāng)所述第三開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),所述第三開關(guān)管的寄生二極管提供帶正電的所述靜電電荷與所述參考地之間的所述靜電釋放路徑的至少一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的指紋傳感裝置,其特征在于,
所述NMOS晶體管和/或所述PMOS晶體管包括源極區(qū)、漏極區(qū)和柵極區(qū),在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的表面包括金屬焊盤,
其中,所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的在垂直于所述第一單元方向上的截面積不相同,所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中面積較大的一個(gè)的表面的所述金屬焊盤距所述柵極區(qū)的距離大于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中另一個(gè)的表面的所述金屬焊盤距所述柵極區(qū)的距離,所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中面積較大的一個(gè)提供所述第一開關(guān)管的寄生二極管、所述第二開關(guān)管的寄生第二極管和所述第三開關(guān)管的寄生二極管中的至少一個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋傳感裝置,其特征在于,還包括:鉗位晶體管,連接至所述靜電防護(hù)元件,至少一個(gè)所述鉗位晶體管形成于所述第一單元內(nèi)。
7.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的指紋傳感裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





