[發(fā)明專利]一種高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910407193.5
• 申請(qǐng)日: 2019-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN110104771A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金仁村;程雅菲;張正哲;李桂鳳;張茜;鄭夏萍;蔡爽;薛苑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州師范大學(xué)
• 主分類號(hào): C02F3/28
• 分類號(hào): C02F3/28
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，包括步驟：

(1)在反應(yīng)器內(nèi)接種厭氧氨氧化絮狀污泥，泵入進(jìn)水，進(jìn)水中NH₄⁺-N和NO₂^--N質(zhì)量濃度比為1:1，在厭氧、避光、30～36℃條件下運(yùn)行至穩(wěn)定；

(2)向進(jìn)水中加入磁性納米材料，并分階段提高磁性納米材料的濃度，每一階段均運(yùn)行至穩(wěn)定后再進(jìn)入下一階段，誘導(dǎo)厭氧氨氧化菌的肼合酶結(jié)構(gòu)基因的表達(dá)和胞外聚合物的分泌，直至進(jìn)水中磁性納米材料的濃度不低于200mg L^-1，完成高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述的反應(yīng)器為升流式厭氧污泥床反應(yīng)器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述反應(yīng)器內(nèi)接種厭氧氨氧化絮狀污泥的濃度為10～15gVSS·L^-1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述的厭氧氨氧化絮狀污泥中的優(yōu)勢菌屬為Candidatus Kuenenia。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述厭氧氨氧化絮狀污泥的粒徑小于0.2mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述進(jìn)水的pH為7.7～7.8，水力停留時(shí)間為1.0～1.2h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述磁性納米材料的粒徑為20～30nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，所述磁性納米材料為γ-Fe₂O₃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(2)中，進(jìn)水中磁性納米材料的初始濃度不大于1mg·L^-1。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高活性高耐毒性的厭氧氨氧化絮狀污泥的培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(2)中，進(jìn)水中磁性納米材料的每一階段濃度均為上一階段濃度的2～5倍。