[發(fā)明專利]布線結(jié)構(gòu)體及半導(dǎo)體器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910406985.0
• 申請(qǐng)日: 2019-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110556355A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小池淳一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 材料概念有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 楊宏軍

1.布線結(jié)構(gòu)體，其具有由金屬間化合物形成的導(dǎo)體、和絕緣體層。

2.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬間化合物包含選自由Al、Fe、Co、Ni及Zn組成的組中的2種以上的金屬元素。

3.如權(quán)利要求1或2所述的布線結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬間化合物為選自由Co及Al形成的金屬間化合物、由Fe及Al形成的金屬間化合物、由Ni及Al形成的金屬間化合物、由Fe及Co形成的金屬間化合物、以及由Ni及Zn形成的金屬間化合物中的1種以上。

4.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)體，其中，所述絕緣體層由無(wú)機(jī)氧化物構(gòu)成，所述金屬間化合物包含第一金屬元素及第二金屬元素，相對(duì)于所述絕緣體層的氧化物生成標(biāo)準(zhǔn)自由能的絕對(duì)值，所述第一金屬元素的氧化物生成標(biāo)準(zhǔn)自由能的絕對(duì)值小且所述第二金屬元素的氧化物生成標(biāo)準(zhǔn)自由能的絕對(duì)值大。

5.如權(quán)利要求1或4所述的布線結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬間化合物包含第一金屬元素及第二金屬元素，

所述第一金屬元素為選自由Fe、Co、Ni、Cu及Zn組成的組中的1種以上，

所述第二金屬元素為選自由Al及Sb組成的組中的1種以上。

6.如權(quán)利要求1、4及5中任一項(xiàng)所述的布線結(jié)構(gòu)體，其中，所述導(dǎo)體與所述絕緣體層間存在至少所述第二金屬元素與氧鍵合而構(gòu)成的金屬氧化物層。

7.如權(quán)利要求1及4～6中任一項(xiàng)所述的布線結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬間化合物為選自由Co及Al形成的金屬間化合物、由Fe及Al形成的金屬間化合物、由Ni及Al形成的金屬間化合物、由Cu及Al形成的金屬間化合物、以及由Ni及Sb形成的金屬間化合物組成的組中的1種以上。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的布線結(jié)構(gòu)體，其用于在半導(dǎo)體器件中將半導(dǎo)體元件與外部電路連接。

9.半導(dǎo)體器件，其包含半導(dǎo)體元件和布線結(jié)構(gòu)體，

所述布線結(jié)構(gòu)體具有由金屬間化合物構(gòu)成的導(dǎo)體、和絕緣體層，并將所述半導(dǎo)體元件與外部電路連接。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣體層由無(wú)機(jī)氧化物構(gòu)成，所述金屬間化合物包含第一金屬元素及第二金屬元素，相對(duì)于所述絕緣體層的氧化物生成標(biāo)準(zhǔn)自由能的絕對(duì)值，所述第一金屬元素的氧化物生成標(biāo)準(zhǔn)自由能的絕對(duì)值小且所述第二金屬元素的氧化物生成標(biāo)準(zhǔn)自由能的絕對(duì)值大。

11.如權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬間化合物包含第一金屬元素及第二金屬元素，

所述第一金屬元素為選自由Fe、Co、Ni、Cu及Zn組成的組中的1種以上，

所述第二金屬元素為選自由Al及Sb組成的組中的1種以上。

12.如權(quán)利要求9～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)體與所述絕緣體層間存在至少所述第二金屬元素與氧鍵合而構(gòu)成的金屬氧化物層。

13.如權(quán)利要求9～12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬間化合物為選自由Co及Al形成的金屬間化合物、由Fe及Al形成的金屬間化合物、由Ni及Al形成的金屬間化合物、由Cu及Al形成的金屬間化合物、以及由Ni及Sb形成的金屬間化合物組成的組中的1種以上。

14.布線結(jié)構(gòu)體的制造方法，其為制造權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的布線結(jié)構(gòu)體的方法，

將具有由氧化物形成的絕緣體層的基板加熱至100℃以上且500℃以下，在所述基板上蒸鍍2種金屬元素而形成由金屬間化合物形成的導(dǎo)體。