[發明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201910405603.2
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN111162072A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 王建忠
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/782
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 傅磊;黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一晶圓；

一半導體芯片，設置于該晶圓的上方，其中該半導體芯片具有一非功能區和至少一功能區，該功能區設置于該非功能區內；以及

多個第一增強結構，穿透該半導體芯片進入該晶圓并且位于該非功能區內。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一增強結構為實心棒。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該多個第一增強結構中的每一個的一頂表面與該半導體芯片的一上表面共面。

4.如權利要求1所述的半導體元件，還包括多個第二增強結構，穿透該半導體芯片進入該晶圓并且位于該非功能區內。

5.如權利要求4所述的半導體元件，其中該半導體芯片具有多個功能區，該第一增強結構設置于該半導體元件的角落，該第二增強結構設置于該功能區之間。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其中該第二增強結構以蜂窩結構排列。

7.如權利要求4所述的半導體元件，其中該第二增強結構是一去耦電容器。

8.一種半導體組件，包括：

一晶圓；

多個半導體芯片，設置于該晶圓的上方，其中該多個半導體芯片中的每一個具有一非功能區和至少一功能區，該功能區設置于該非功能區內；以及

多個第一增強結構，穿透該多個半導體芯片中的每一個進入該晶圓并且位于該非功能區內。

9.如權利要求8所述的半導體組件，其中該第一增強結構為實心棒。

10.如權利要求8所述的半導體組件，還包括多個第二增強結構，穿透該半導體芯片進入該晶圓并且位于該非功能區內。

11.如權利要求10所述的半導體組件，其中該多個第二增強結構中的每一個包括：

一上電極，穿透該半導體芯片進入該芯片；

一介電層，圍繞該上電極；以及

一下電極，設置于該晶圓內并圍繞該介電層。

12.如權利要求11所述的半導體組件，其中該下電極是一摻雜區。

13.如權利要求8所述的半導體組件，還包括一保護層覆蓋該半導體芯片和該第一增強結構。

14.一種半導體組件的制造方法，包括：

提供一晶圓；

提供該晶圓上方的多個半導體芯片，其中該多個半導體芯片中的每一個具有一非功能區和至少一功能區，該功能區設置于該非功能區內；

形成多個溝槽于該非功能區內，其中該多個溝槽通過該半導體芯片進入該晶圓而形成；以及

形成多個第一增強結構于該溝槽內。

15.如權利要求14所述的制造方法，其中將該多個第一增強結構設置于該溝槽內的步驟包括：

沉積一導電材料于該溝槽內。

16.如權利要求14所述的制造方法，還包括：

設置多個第二增強結構于該溝槽內。

17.如權利要求16所述的制造方法，其中將該多個第二增強結構設置于該溝槽內的步驟包括：

形成多個下電極于包圍該溝槽的該芯片內；

沉積一介電層于該溝槽內；以及

沉積一上電極于該介電層的上方。

18.如權利要求17所述的制造方法，其中該介電層具有一均勻厚度。

19.如權利要求14所述的制造方法，還包括：

沉積一保護層于該半導體芯片與該第一增強結構的上方。

20.如權利要求14所述的制造方法，還包括執行一研磨工藝以減小芯片的尺寸。