[發明專利]一種測量介質材料二次電子發射系數的方法

有效

• 申請號: 201910405418.3
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110146529B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 溫凱樂;劉術林;閆保軍;王玉漫
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: G01N23/22
• 分類號: G01N23/22
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理有限公司 11200
• 代理人: 司立彬

1.一種測量介質材料二次電子發射系數的方法，其步驟包括：

1）將待測介質材料放置在金屬樣品臺上，將該金屬樣品臺升入收集極中并對真空腔體抽真空；

2）將金屬樣品臺、柵網、收集極的輸出端口與電信號采集裝置輸入端口連接，且金屬樣品臺、柵網所施加電壓與電子槍出射口電壓相同，收集極電位高于金屬樣品臺電位設定值；

3）調整電子槍參數，使電子束斑照射位置為該介質材料邊緣的金屬樣品臺區域，使電子槍發射電子束并持續照射設定時間，從而用金屬樣品臺產生的低能二次電子對介質材料表面的正電荷進行充分中和；

4）將電子槍出射的電子能量調節至需要測試的能量，將電子槍出射的初級電子束的照射位置調節至介質材料表面，并將電子槍的工作狀態調節為脈沖工作模式；

5）使電子槍發射脈沖電子束，測量并計算金屬樣品臺、柵網、收集極各通路脈沖電流，即金屬樣品臺脈沖電流I₁、柵網脈沖電流I₂、收集極脈沖電流I₃；

6）通過公式δ=(I₂+I₃)/(I₁+I₂+I₃)計算當前電子入射能量下，該介質材料的二次電子發射系數δ；

7）改變入射電子能量，重復步驟3）~6），直到所有待測量的入射能量下的二次電子發射系數均測量完畢為止。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2）中，所述設定值為50V。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3）中，電子束斑邊緣與介質材料邊緣的最短距離為5mm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3）中，電子動能為300eV~1000eV，持續照射時間為5s~100s。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過脈沖信號放大器放大金屬樣品臺、柵網、收集極上的輸出脈沖信號。