[發(fā)明專利]在芯片上制備多個測量區(qū)域的方法及具有測量區(qū)域的芯片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910405331.6
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN110215940A
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.希伯;H.舍德
• 申請（專利權(quán)）人: 貝林格爾·英格海姆維特梅迪卡有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;G01N27/403
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 任麗榮

1.一種用于制備具有多個可電尋址的測量區(qū)域(16)的芯片(11)或用于在芯片(11)上制備多個測量區(qū)域(16)的方法，其中在芯片(11)上于各測量區(qū)域(16)內(nèi)使可電接觸的電極對(23a、23b)結(jié)構(gòu)化，并且其中通過形成使所述測量區(qū)域(16)相互分開的隔室結(jié)構(gòu)(24)而形成所述測量區(qū)域(16)，其特征在于，

隔室結(jié)構(gòu)(24)的形成包括以下工藝步驟：

-在除測量區(qū)域(16)以外的芯片表面(13)上產(chǎn)生疏水潤濕性能，

其中，所述疏水潤濕性能通過施加疏水單層(12)來獲得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，隔室結(jié)構(gòu)(24)的形成包括在測量區(qū)域(16)中產(chǎn)生親水性能。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，直至單片化或安裝芯片(11)時，測量區(qū)域(16)至少基本上設(shè)有保護(hù)層或被保護(hù)層覆蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層是可光致結(jié)構(gòu)化的層或經(jīng)光致結(jié)構(gòu)化的層(14、18)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層是耐熱的，特別是耐短時的溫度峰值的。

6.根據(jù)權(quán)利要求3至5之一所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層在高達(dá)150℃、特別是高達(dá)200℃、優(yōu)選高達(dá)250℃、優(yōu)選高達(dá)300℃的溫度是至少短時內(nèi)化學(xué)和/或物理穩(wěn)定的。

7.根據(jù)權(quán)利要求3至6之一所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層包含光刻膠或是光刻膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述光刻膠是基于聚酰胺的光刻膠。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述疏水單層(12)是自組裝單層。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，通過與反應(yīng)性化合物的反應(yīng)進(jìn)行疏水化，特別地，所述反應(yīng)性化合物是硅烷、優(yōu)選烷基硅烷、特別是三烷基硅烷，和硅氮烷、優(yōu)選三甲基氯硅烷和/或六甲基二硅氮烷，和氟硅烷、特別是部分和/或全氟化的烷基硅烷、優(yōu)選十三氟-1,1,2,2-四氫辛基-三氯硅烷。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，疏水中間區(qū)域(27)在測量區(qū)域(16)之間形成平的柵格。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，隔室結(jié)構(gòu)(24)的形成采用以下工藝步驟進(jìn)行：

-通過施加由氟硅烷化合物形成的自組裝單層(12)在除測量區(qū)域(16)以外的芯片表面(13)上產(chǎn)生疏水潤濕性能，

-在測量區(qū)域(16)中產(chǎn)生親水性能。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，隔室結(jié)構(gòu)(24)的形成具有按指定順序的以下工藝步驟：

-將氟硅烷化合物作為單層(12)蒸鍍至芯片表面(13)上，

-將可光致結(jié)構(gòu)化的層(14)施加至芯片表面(13)上，

-對測量區(qū)域(16)進(jìn)行曝光，

-對可光致結(jié)構(gòu)化的層(14)進(jìn)行顯影，其中測量區(qū)域(16)被暴露，

-在測量區(qū)域(16)中產(chǎn)生親水性能，以及

-除去經(jīng)光致結(jié)構(gòu)化的層(18)。