[發明專利]一種芯片模組封裝定位方法在審
| 申請號: | 201910405115.1 | 申請日: | 2019-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN110098213A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 黃高;田茂;宋闖 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市一法律師事務所 11654 | 代理人: | 劉榮娟 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路板 封裝底座 封裝芯片 芯片模組 封裝 第一表面 封裝部 匹配 定位精確性 單次曝光 偏移誤差 偏移 申請 | ||
本申請涉及一種芯片模組封裝定位方法。所述定位方法包括:提供電路板,所述電路板具有第一表面;在所述電路板的第一表面形成第一溝槽和第二溝槽,所述第一溝槽與待封裝芯片相匹配,所述第二溝槽與待封裝底座的封裝部相匹配;將所述待封裝芯片定位于所述第一溝槽;將所述待封裝底座的封裝部定位于所述第二溝槽。所述芯片模組封裝定位方法改善了封裝底座偏移的問題,提高了封裝芯片和封裝底座的定位精確性,而且由于是在電路板上進行單次曝光作業形成溝槽,可以減少現有技術中多次作業的累計偏移誤差。
技術領域
本申請涉及芯片封裝領域,具體地涉及一種芯片模組封裝定位方法。
背景技術
目前攝像頭模組主要有以下兩種封裝結構:
1)CSP(Chip Size Package)芯片尺寸封裝:在CSP封裝結構中,芯片底部錫球通過錫膏與電路板表面開窗襯墊接觸連接。CSP模組封裝的工藝簡單,生產良率高,但在成像區表面覆蓋有玻璃層,增加了芯片本身成本。
2)COB(Chip On Board)板上芯片封裝:在COB封裝結構中,芯片與電路板通過膠相接觸連接。COB封裝的產品光透性相對較好,模組厚度相對較低,對鏡頭要求小,但COB封裝工藝復雜,生產良率較難控制,而且模組廠商設備投入大。
現有CSP和COB的成像芯片封裝在封裝底座的定位步驟包括:將成像芯片粘合在電路板表面,通過使封裝底座上開口圖像計算的虛擬中心與成像芯片邊框計算的虛擬中心在垂直方向上重合來對封裝底座進行定位,將封裝底座粘合在電路板表面。圖1A為采用現有芯片模組封裝技術時,正常情況下的芯片模組結構示意圖。其中封裝芯片120和封裝底座130都粘合在電路板110的第一表面111上,所述封裝芯片120邊框的虛擬中心與所述封裝底座130上開口圖像的虛擬中心在垂直方向上重合,因此外部影像的光線可以通過所述開口完整地投射到所述封裝芯片上。
然而在定位工藝中,當所述封裝底座上開口的圖像抓取不清晰或者封裝底座上開口有形變發生時,容易造成計算出的封裝底座上開口圖像的虛擬中心偏移的問題,這時通過使封裝底座上開口圖像計算的虛擬中心與底部的成像芯片邊框計算的虛擬中心在垂直方向上重合來對封裝底座進行定位,將封裝底座粘合在電路板表面后,會造成封裝底座發生偏移。圖1B為采用現有芯片模組封裝技術時,封裝底座上端開口發生形變時的芯片模組結構示意圖。其中封裝芯片120和封裝底座130都粘合在電路板110的第一表面111上,所述封裝芯片120邊框的虛擬中心與所述封裝底座130上開口圖像的虛擬中心在垂直方向上重合,但如圖1B所示,由于封裝底座130上開口有形變發生,造成計算出的封裝底座上開口圖像的虛擬中心偏移,因此造成在定位封裝底座130時,為了使封裝底座上開口圖像計算的虛擬中心與底部的成像芯片邊框計算的虛擬中心在垂直方向上重合,所述封裝底座130也隨之發生偏移。在這種情況下,所述封裝芯片120的一部分被遮擋,因此外部影像的光線不能通過所述開口完整地投射在所述封裝芯片上,導致攝像頭拍攝出來的照片不完整。
因此有必要開發一種新的芯片模組定位方法,改善封裝底座偏移的問題,提高成像芯片和封裝底座的定位精確性,減少偏移誤差。
發明內容
本申請提供一種芯片模組定位方法,通過在電路板(PCB)上形成溝槽來對封裝芯片和封裝底座進行定位,改善封裝底座偏移的問題,提高封裝芯片和封裝底座的定位精確性,減少偏移誤差。
本申請的一個方面提供一種芯片模組封裝定位方法,所述定位方法包括:提供電路板,所述電路板具有第一表面;在所述電路板的第一表面形成第一溝槽和第二溝槽,所述第一溝槽與待封裝芯片相匹配,所述第二溝槽與待封裝底座的封裝部相匹配;將所述待封裝芯片定位于所述第一溝槽;將所述待封裝底座的封裝部定位于所述第二溝槽。
在本申請的一些實施例中,在所述電路板的第一表面形成第一溝槽和第二溝槽的方法包括:在所述電路板第一表面形成圖案化的光阻層,所述圖案化的光阻層用于定義所述第一溝槽和第二溝槽;刻蝕所述電路板形成所述第一溝槽和第二溝槽;去除所述光阻層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





