[發明專利]半導體封裝、半導體封裝堆疊及其制造方法

在審

• 申請號: 201910404765.4
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN111524878A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

半導體晶粒，包括：

半導體基底，具有彼此相對的主動面與背側表面；

內連線層，設置于所述半導體基底的所述主動面上；以及

半導體貫孔，由所述半導體基底的所述背側表面至所述半導體基底的所述主動面貫穿所述半導體基底；

包封體，側向包封所述半導體晶粒；以及

包封體穿孔，貫穿所述包封體。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

前側重布線結構，設置于所述內連線層與所述包封體的前側表面上，其中所述前側重布線結構電性連接于所述內連線層與所述包封體穿孔；以及

背側重布線結構，設置于所述半導體基底的所述背側表面與所述包封體的背側表面上，其中所述包封體的所述背側表面相對于所述包封體的所述前側表面，且所述背側重布線結構電性連接于所述半導體貫孔以及所述包封體穿孔。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

前側導電連接件，設置于所述前側重布線結構上，且電性連接于所述前側重布線結構；以及

背側導電連接件，設置于所述背側重布線結構上，且電性連接于所述背側重布線結構。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述包封體的背側表面實質上共面于所述半導體基底的所述背側表面。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述包封體的前側表面實質上共面于所述半導體晶粒的前側表面，所述半導體基底的所述主動面面向所述半導體晶粒的所述前側表面，且所述半導體基底的所述背側表面背向所述半導體晶粒的所述前側表面。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述半導體晶粒包括存儲器晶粒。

7.一種半導體封裝堆疊，其特征在于，包括：

如權利要求1至6任一項所述的半導體封裝；

底部半導體封裝，附接至所述半導體封裝的底面，且電性連接于所述內連線層與所述包封體穿孔；以及

頂部半導體封裝，附接至所述半導體封裝的頂面，且電性連接于所述半導體貫孔以及所述包封體穿孔。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝堆疊，其特征在于，所述底部半導體封裝包括：

底部半導體晶粒；

底部包封體，包封所述底部半導體晶粒；以及

底部包封體穿孔，貫穿所述底部包封體，且電性連接于所述半導體封裝的所述包封體穿孔。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝堆疊，其特征在于，所述底部半導體晶粒的頂面埋入于所述底部包封體中，所述底部半導體晶粒的底面實質上共面于所述底部包封體的底面。

10.根據權利要求7所述的半導體封裝堆疊，其特征在于，還包括：

封裝基底，附接至所述底部半導體封裝的底面。

11.一種半導體封裝的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體晶粒，其中所述半導體晶粒包括半導體基底、內連線層以及半導體貫孔，所述內連線層設置于所述半導體基底的主動面上，所述半導體貫孔由所述半導體基底的背側表面至所述半導體基底的主動面而貫穿所述半導體基底；

以包封體側向包封所述半導體晶粒；以及

形成貫穿所述包封體的包封體穿孔。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述包封體之前將所述半導體晶粒附接至第一載體上，其中所述半導體基底的所述背側表面面向所述第一載體，且所述半導體基底的所述主動面背向所述第一載體；以及

在形成所述包封體與所述包封體穿孔之后分離所述第一載體。