[發明專利]一種ILD層平坦化后的清洗方法在審
| 申請號： | 201910404529.2 | 申請日： | 2019-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN110277306A | 公開（公告）日： | 2019-09-24 |
| 發明（設計）人： | 嚴磊 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗 平坦化 半導體器件結構 化學機械研磨 氫氟酸溶液 熱硫酸溶液 表面缺陷 表面氧化 傳統工藝 器件結構 數量減少 研磨 接觸孔 可剝離 氫氟酸 有效地 減小 晶圓 剝離 清潔 制作 | ||
1.一種ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供一待制作接觸孔的半導體器件結構；
步驟二、在所述器件結構上形成ILD層；
步驟三、對所述ILD層進行化學機械研磨；
步驟四、用氫氟酸對研磨后的ILD層進行清洗，將ILD層表面帶有缺陷的一部分進行剝離；
步驟五、將ILD層進行APM清洗。
2.根據權利要求1所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：步驟一中的所述半導體器件結構包括基底，形成于所述基底上的多晶硅結構，形成于所述多晶硅結構上的金屬硅化物；覆蓋所述金屬硅化物上表面、所述多晶硅側壁以及所述基底上表面的接觸刻蝕停止層。
3.根據權利要求2所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：所述金屬硅化物為鎳的硅化物。
4.根據權利要求2所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：所述接觸刻蝕停止層的材料為氮化硅。
5.根據權利要求1所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：所述ILD層的材料為二氧化硅。
6.根據權利要求1所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：步驟二中形成所述ILD層的方法采用沉積法形成。
7.根據權利要求1所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：該方法還包括：
步驟六、在所述ILD層上形成APF層；
步驟七、在所述APF層上形成NF-DARC層。
8.根據權利要求7所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：步驟六中形成所述APF層的方法和步驟七中形成所述NF-DARC層的方法為采用沉積的方法形成薄膜。
9.根據權利要求1所述的ILD層平坦化后的清洗方法，其特征在于：該方法應用于28nm的技術節點。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
