[發明專利]一種抑制SiC MOSFET門極串擾與振蕩的驅動電路

有效

• 申請號: 201910404032.0
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110212740B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 李小強;王文杰;賀生鵬;林銘恩;伍小杰;余超;紀明理;徐塑哲;周子奇;董云鶴;何承原
• 申請（專利權）人: 中國礦業大學
• 主分類號: H02M1/092
• 分類號: H02M1/092
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 朱小兵

1.一種抑制SiC MOSFET門極串擾與振蕩的驅動電路，其特征在于，包括兩個推挽電路、兩個電容輔助電路，所述兩個推挽電路和兩個電容輔助電路連接在主電路上構成完整的工作電路，所述主電路由連接在同一橋臂上的上下兩個SiC MOSFET開關管構成；

在控制器的兩個控制信號輸出端分別連接于兩個光耦芯片輸入端，兩個所述光耦芯片的輸出端分別連接所述兩個推挽電路和所述兩個電容輔助電路的控制信號輸入端，所述兩個推挽電路的兩個輸出端分別與所述主電路的同一橋臂上的兩個SiC MOSFET開關管的柵極連接；

兩個所述光耦芯片的輸出端分別連接在所述兩個電容輔助電路中兩組三極管的基極，所述兩個電容輔助電路中兩組三極管的集電極分別通過兩組輔助電容與所述主電路的同一橋臂上兩個SiC MOSFET開關管的源極相連接；

兩組所述三極管的發射極分別連接到所述主電路的同一橋臂上下兩個SiC MOSFET開關管的柵極，兩組所述三極管的發射極和集電極之間分別反并聯兩組二極管，所述同一橋臂上下兩個SiC MOSFET開關管的源極分別接兩個隔離電源芯片的0V輸出管腳；

所述兩個電容輔助電路中兩組三極管為兩個PNP三極管和兩個NPN三極管，所述電容輔助電路由兩組三極管和四個輔助電容組成；所述控制器輸出的兩個控制信號分別經過兩個所述光耦芯片輸入到所述兩個電容輔助電路的兩個NPN三極管和兩個PNP三極管的基極；兩個PNP三極管和兩個NPN三極管的集電極分別通過四個所述輔助電容連接在兩個所述SiCMOSFET開關管的源極；

所述推挽電路包括由兩個具有+20V、0V和-5V三個引腳的隔離電源芯片，兩個非門和兩組 MOSFET器件組成，每組MOSFET器件數量為兩個，兩個所述隔離電源芯片輸出的控制信號分別通過兩個非門傳輸到兩組MOSFET器件的柵極；兩個所述隔離電源芯片的+20V和-5V兩個引腳分別連接于兩組所述MOSFET器件的源極，所述兩個推挽電路的兩個輸出端分別通過驅動電阻連接在所述主電路中兩個所述SiC MOSFET開關管的柵極上；

兩組所述MOSFET器件的開通電壓的兩引腳為20V和0V，其關斷電壓的兩引腳為0V和-5V；

與兩個所述SiC MOSFET開關管柵源極并聯的兩個所述輔助電容的開通電壓為+20V，另外兩個所述輔助電容的關斷電壓為-5V；

所述控制器的控制信號依次通過兩個所述光耦芯片輸入端、兩個所述光耦芯片輸出端，兩個所述光耦芯片根據控制器的控制信號分別輸出g1控制信號和g2控制信號，g1控制信號和g2控制信號分別輸入至兩個所述SiC MOSFET開關管分別對應的所述推挽電路的輸入端，兩個所述推挽電路的輸出端傳輸至所述主電路的同一橋臂上的兩個所述SiC MOSFET開關管的柵極上；

同時兩個所述光耦芯片輸出的所述g1控制信號和g2控制信號還分別傳輸至兩個所述SiC MOSFET開關管對應的電容輔助電路中的兩組三極管的基極上。