[發明專利]液晶介質在審
| 申請號: | 201910403762.9 | 申請日: | 2019-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN110499163A | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發明(設計)人: | 達格爾·克拉斯;卡斯滕·弗里奇;德米特里·烏沙科夫;貝特·施奈德 | 申請(專利權)人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K19/44 | 分類號: | C09K19/44;C09K19/58;G02F1/137;H01P1/18;H01Q3/30;H01Q15/00;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 宓霞<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可調諧濾光器 超材料結構 相控陣天線 波束控制 高頻器件 高頻組件 微波組件 相位偏移 液晶介質 電子式 可調諧 天線 微波 | ||
1.液晶介質,其特征在于其包含一種、兩種或更多種式C的化合物,
其中
RC表示H,具有1至12個C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基,或具有2至12個C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯氧基或未氟化的烷氧基烷基,其中一個或多個CH2-基團可被替代,
LC1、LC2相同或不同地表示H、Cl或F,
RC1、RC2、RC3、RC4、RC5和RC6相同或不同地表示H,F,Cl或具有1至6個C原子的烷基,或環丙基、環丁基或環戊基;
和一種或多種選自式I、II和III的化合物的化合物,
其中
R1表示H,具有1至17個C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基,或具有2至15個C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯氧基或未氟化的烷氧基烷基,其中一個或多個CH2-基團可被替代,
n是0、1或2;
至在每次出現時彼此獨立地表示
其中RL在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至6個C原子的烷基,
和其中
另選地表示
R2表示H,具有1至17個C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基,或具有2至15個C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯氧基或未氟化的烷氧基烷基,其中一個或多個CH2-基團可被替代,
Z21表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-C≡C-,和
彼此獨立地表示
其中
RL在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至6個C原子的烷基;
R3表示H,具有1至17個C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基,或具有2至15個C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯氧基或未氟化的烷氧基烷基,其中一個或多個CH2-基團可被替代,
Z31和Z32中的一個表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-C≡C-,和另一個,獨立于其地,表示-C≡C-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或單鍵,和
至彼此獨立地表示
其中RL在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至6個C原子的烷基,
和其中
另選地表示
2.根據權利要求1的液晶介質,其中所述介質具有90℃或更高的清亮溫度。
3.根據權利要求1或2的液晶介質,其中所述介質具有在20℃和598.3nm下0.300或更高的雙折射率。
4.根據權利要求1至3的一項或多項的液晶介質,其中所述介質以10%或更小的總濃度包含如在權利要求1中限定的其中n是0的式I的化合物。
5.根據權利要求1至4的一項或多項的液晶介質,其中所述介質包含一種或多種式T的化合物
其中
RT表示鹵素、CN、NCS、RF、RF-O-或RF-S-,其中RF表示具有最多至12個C原子的氟化的烷基或氟化的烯基,
在每次出現時彼此獨立地表示
L1和L2相同或不同地表示Cl、F、具有1至6個C原子的烷基,或環丙基、環丁基或環戊基,和
t是0、1或2。
6.根據權利要求5的液晶介質,其中式T的化合物選自式T-1和T-2的化合物
其中
具有在權利要求5中對于式T給出的含義,和
n是1、2、3、4、5、6或7。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于默克專利股份有限公司,未經默克專利股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910403762.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





